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ISL6567
最后，上部MOSFET的的导通损耗部
功耗，P
UMOS,4,
可用下式计算
公式30 。
2
I
PP
I
OUT
P
UMOS
,
4
=
r
DS
(
ON
)
-------------
d
+ ---------
-
12
2
制造商和/或测量用电容器的阻抗
频率，帮助选择合适的组件。
输出电感的选择
一限制变换器响应于所述参数的
负载瞬态是改变电感器所需的时间
电流。在一个多相变换器，小型电感降低
响应时间与总的输出纹波的影响少
电流（与单相转换器）。
1.0
（ EQ 。 30 ）
N
当然，在这种情况下，河
DS （ ON）
是上的电阻
上MOSFET 。
的总功率在满负荷消散由上部MOSFET
可以近似为这些结果的总和。
由于功率公式依赖于MOSFET的参数，
选择正确的MOSFET可以是一个反复的过程
这涉及重复求解损失方程
不同的MOSFET和不同的开关频率，直到
融合后的最佳解决方案。
输出电容的选择
输出电容被选择为满足动态
负载要求和电压纹波的要求。该
负载瞬态微处理器令人印象深刻的特点是
通过高压摆率（ di / dt的）目前的需求。大体，
不同尺寸和介质的多种高品质电容
并联，以满足设计约束。
如果负载的特点是高转换率，注意
应特别支付的选择和放置
高频去耦电容（ MLCC电容，通常
多层陶瓷电容器） 。高频电容
供给初始瞬态电流和减缓负荷
率的变化看到了大容量电容器。大容量滤波
电容的值一般由ESR测定
（等效串联电阻）和电容的要求。
高频去耦电容应尽可能
合到负载的电源引脚，或出于这一原因，对任何
去耦目标，他们都是为了，因为身体可能。
要注意尽量不要增加电感的
电路板布线，可以取消这些用处
低电感元件。请咨询制造商
关于具体的去耦要求的负荷。
使用仅用于专门的低ESR电容
开关稳压器应用的大容量电容器。该
大容量电容的ESR决定了输出纹波电压
和初始压降下高转换率
短暂的边缘。在大多数情况下，小的多个电容器
外壳尺寸进行比单个大电容的情况下更好。
大容量电容的选择包括铝电解， OS-CON ，
钽，甚至陶瓷介质。铝
电解电容的ESR值与案件有关的大小
在更大尺寸的情况下，可用较低的ESR 。然而，该
这些电容器的等效串联电感（ ESL）的
增加了与盒体尺寸，并能降低的实用性
电容，以高转换率瞬态负载。不幸的是，
ESL是不是指定的参数。咨询电容器
当前乘数，K
CM
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
占空比（ V
O
/V
IN
)
图27.纹波电流与占空比
每个电力通道的输出电感器控制
纹波电流。控制IC是稳定的信道波动
电流（峰 - 峰值）到平均电流的两倍。一
单信道的纹波电流近似为：
V
IN
–
V
OUT
V
OUT
-
-
I
L
,
PP
= -------------------------------
×
---------------
V
IN
F
SW
L
（ EQ 。 31 ）
来自多个通道的电流趋向于相互抵消
并减少总的纹波电流。总的输出纹波
电流可以通过在图27中的曲线来确定;它
提供了总的纹波电流为占空比的函数
和数目的活动通道的，归一化到参数
K
规范
在零占空比。
V
OUT
-
K
规范
= -------------------
L
F
SW
（ EQ 。 32 ）
其中，L是沟道的电感值。
查找活动通道的曲线和义务的交集
周期为特定的应用程序。由此产生的纹波
从y轴上的电流倍增器，然后通过乘以
归一化因子，K
规范
，以确定总输出
纹波电流为给定的应用程序。
Δ
I
总
=
K
规范
K
CM
（ EQ 。 33 ）
24
FN9243.3
2009年5月28日
