IDT7132SA / LA和IDT7142SA / LA
HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(7)8
M824S258M824S30
7132X20
符号
参数
繁忙时间（对于主lDT7130只）
t
BAA
t
北京经济技术开发区
t
BAC
t
BDC
t
WDD
t
WH
t
DDD
t
APS
(1)
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
12
—
5
—
5
0
12
—
—
20
20
20
20
50
—
35
—
25
—
—
—
40
30
7132X25
7132X35
(8)
7142X35
7142X25
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
15
—
5
—
5
0
15
—
—
20
20
20
20
50
—
35
—
35
—
—
—
50
35
—
—
—
—
—
20
—
5
—
5
0
20
—
—
20
20
20
20
60
—
35
—
35
—
—
—
60
35
(8)
7132158M824S4
7132X55 7132X100
7142X55 7142X100
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
单位
—
—
—
—
—
20
—
5
—
5
0
20
—
—
30
30
30
30
80
—
55
—
50
—
—
—
80
55
—
—
—
—
—
20
—
5
—
5
0
20
—
—
50
50
50
50
120
—
100
—
65
—
—
120
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
忙
从地址访问时间
忙
禁止时间从地址
忙
从芯片使能存取时间
忙
禁止时间从芯片使能
写脉冲数据延迟
(2)
写后举行
忙
(6)
写数据有效读取数据的延迟
(2)
仲裁优先建立时间
(3)
忙
禁止以有效数据
(4)
t
BDD
繁忙时间（对于从IDT7140只）电子
写
忙
输入
(5)
t
WB
写后举行
忙
(6)
t
WH
写脉冲数据延迟
(2)
t
WDD
写数据有效读取数据的延迟
(2)
t
DDD
注意事项：
2689 TBL 11
1. Com'l只， 0 ° C至+ 70 °C温度范围。 PLCC封装而已。
2.端口到端口延迟通过从写端口到端口读取RAM单元，是指“写的时序波形与港口-to -端口读和
忙
0."
3.为了确保两个端口的较早者获胜。
4. t
BDD
是一个计算出的参数，并且是0越大，叔
WDD
– t
WP
（实际的） ，或T
DDD
– t
DW
（实际的） 。
5.为了确保写周期的争端口'A'期间禁止在端口'B '..
6.为了确保写周期的争端口'A'后完成端口“B” 。
在部件编号7 “X”表示的额定功率（S或L） 。
8.不适用于DIP封装
写时序波形与端口到端口读取和
忙
t
WC
ADDR
’A’
MATCH
t
WP
R/
(1,2,3)
W
’A’
t
DW
t
DH
有效
t
APS
(1)
数据
IN'A “
ADDR
’B’
MATCH
t
北京经济技术开发区
t
BDD
忙
’B’
t
WDD
数据
OUT'B “
t
DDD
注意事项：
1.为了确保两个端口的较早者获胜。吨
APS
被忽略的奴隶（ IDT7142 ） 。
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL 。
3.
OE
= V
IL
为读端口。
4.所有的时序是相同的左，右端口。口'A'可以是向左或向右
端口。口' B'从口'A'相反。
2692 DRW 11
有效
6.02
8
