ON Semiconductort
JFET VHF / UHF放大器
N沟道 - 耗尽
J308
J309
J310
安森美半导体首选设备
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
GF
P
D
T
J
T
英镑
价值
25
25
10
350
2.8
-65到+125
-65到+150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1 DRAIN
1
2
3
CASE 29-11 ，风格5
TO-92 （TO- 226AA ）
3
门
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
2 SOURCE
最大
单位
开关特性
栅源击穿电压
(I
G
= –1.0
μAdc ，
V
DS
= 0)
门反向电流
(V
GS
= -15伏直流，V
DS
= 0, T
A
= 25°C)
(V
GS
= -15伏直流，V
DS
= 0, T
A
= +125°C)
门源截止电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1.0 NADC ）
J308
J309
J310
V
（ BR ） GSS
I
GSS
—
—
V
GS （ OFF ）
–1.0
–1.0
–2.0
—
—
—
–6.5
–4.0
–6.5
—
—
–1.0
–1.0
NADC
μAdc
VDC
–25
—
—
VDC
基本特征
零栅极电压漏电流
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，V
GS
= 0)
I
DSS
J308
J309
J310
V
GS （ F）
12
12
24
—
—
—
—
—
60
30
60
1.0
VDC
MADC
门源正向电压
(V
DS
= 0, I
G
= 1.0 MADC ）
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 第1版
出版订单号：
J308/D
