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ON Semiconductort
JFET VHF / UHF放大器
N沟道 - 耗尽
J308
J309
J310
安森美半导体首选设备
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
GF
P
D
T
J
T
英镑
价值
25
25
10
350
2.8
-65到+125
-65到+150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1 DRAIN
1
2
3
CASE 29-11 ,风格5
TO-92 (TO- 226AA )
3
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
2 SOURCE
最大
单位
开关特性
栅源击穿电压
(I
G
= –1.0
μAdc ,
V
DS
= 0)
门反向电流
(V
GS
= -15伏直流,V
DS
= 0, T
A
= 25°C)
(V
GS
= -15伏直流,V
DS
= 0, T
A
= +125°C)
门源截止电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 1.0 NADC )
J308
J309
J310
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
–1.0
–1.0
–2.0
–6.5
–4.0
–6.5
–1.0
–1.0
NADC
μAdc
VDC
–25
VDC
基本特征
零栅极电压漏电流
(1)
(V
DS
= 10 VDC ,V
GS
= 0)
I
DSS
J308
J309
J310
V
GS ( F)
12
12
24
60
30
60
1.0
VDC
MADC
门源正向电压
(V
DS
= 0, I
G
= 1.0 MADC )
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年3月 - 第1版
出版订单号:
J308/D
J308 J309 J310
特征
符号
典型值
最大
单位
小信号特性
共源输入电导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100兆赫)
回复(Y
is
)
J308
J309
J310
回复(Y
os
)
G
pg
0.7
0.7
0.5
0.25
16
毫姆欧
dB
毫姆欧
共源输出电导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100兆赫)
共栅功率增益
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
3.0%.
小信号特性(续)
共源正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100兆赫)
共栅输入电导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100兆赫)
共源正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 1.0千赫)
J308
J309
J310
g
os
g
fg
J308
J309
J310
g
og
J308
J309
J310
C
gd
C
gs
150
100
150
1.8
4.3
2.5
5.0
pF
pF
13000
13000
12000
μmhos
回复(Y
fs
)
回复(Y
ig
)
g
fs
8000
10000
8000
20000
20000
18000
250
μmhos
μmhos
12
12
毫姆欧
毫姆欧
μmhos
共源输出电导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 1.0千赫)
共栅正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 1.0千赫)
共栅输出电导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 1.0千赫)
栅 - 漏电容
(V
DS
= 0, V
GS
= -10伏直流, F = 1.0兆赫)
栅极 - 源极电容
(V
DS
= 0, V
GS
= -10伏直流, F = 1.0兆赫)
功能特点
噪声系数
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 450兆赫)
相当于短路输入噪声电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 MADC , F = 100赫兹)
NF
e
n
1.5
10
dB
nV
Hz
http://onsemi.com
2
J308 J309 J310
50
来源
U310
C3
L1
C5
C7
1.0 k
+V
DD
C1 = C2 = 0.8 - 10 pF的, JFD # MVM010W 。
C3 = C4 = 8.35 pF的伊利# 539-002D 。
C5 = C6 = 5000 pF的伊利( 2443-000 ) 。
C7 = 1000 pF的,艾伦布拉德利# FA5C 。
RFC = 0.33
H
米勒# 9230-30 。
L1 =一个回合# 16铜, 1/4“内径(空芯) 。
L2
P
=一匝# 16铜, 1/4“内径(空芯) 。
L2
S
=一匝# 16铜, 1/4“内径(空芯) 。
RFC
C1
C2
C6
C4
L2
P
L2
S
50
负载
图1. 450 MHz的共栅放大器测试电路
60
I D ,漏电流(毫安)
50
40
30
20
10
-5.0
V
DS
= 10 V
I
DSS
+25°C
T
A
= -55°C
+25°C
60
50
40
IDSS ,饱和漏极电流(毫安)
70
YFS ,正向跨导(毫姆欧)
70
35
V
DS
= 10 V
F = 1.0 MHz的
T
A
= -55°C
30
25
20
15
10
+25°C
+150°C
+25°C
-55°C
30
20
+150°C
-55°C
+25°C
+150°C 10
0
0
5.0
0
5.0
4.0
3.0
2.0
+150°C
-1.0
-4.0
-3.0
-2.0
I
D
- V
GS
,栅源电压(伏)
I
DSS
- V
GS
,栅源截止电压(伏)
1.0
0
V
GS
,栅源电压(伏)
图2.漏电流和转让
特性与栅源电压
图3.正向跨导
与栅源电压
YFS ,正向跨导(
姆欧)
100 k
Y
fs
10 k
Y
fs
1.0 k
YOS ,输出导纳(
姆欧)
10
R
DS
电容(pF)
7.0
120
96
72
C
gs
R DS ,导通阻抗(欧姆)
100
1.0 k
Y
os
V
GS ( OFF )
= -2.3 V =
V
GS ( OFF )
= -5.7 V =
10
4.0
48
24
0
0
1.0
0
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
C
gd
100
0.01
1.0
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
I
D
,漏极电流(毫安)
1.0
V
GS
,门源极电压(伏)
图4.共源输出
准入和正向跨导
与漏极电流
http://onsemi.com
3
图5.导通电阻和结
电容与栅源电压
J308 J309 J310
|S
21
|, |S
11
|
30
24
18
12
6.0
0
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
3.0
2.4
Y12 (毫姆欧)
Y
11
1.8
1.2
0.6
Y
12
200
300
500
男,频率(MHz)
700
1000
0.85 0.45
0.79 0.39
S
21
0.73 0.33
0.67 0.27
0.61 0.21
S
12
0.55 0.15
100
200
300
500
男,频率(MHz)
700 1000
0.90
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
S
11
0.012 0.92
0.036 0.96
0.024 0.94
S
22
|S
12
|, |S
22
|
0.060 1.00
0.048 0.98
| Y11 | , | Y21 | , | Y22 | (毫姆欧)
Y
21
Y
22
图6.共栅参数y
幅度与频率
θ
21
,
θ
11
180° 50°
θ
22
170°
160°
150°
140°
130°
40°
30°
20°
10°
100
θ
21
θ
12
,
θ
22
-20°
87°
-20°
-40°
-60°
-80°
-100°
θ
12
θ
11
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
700
-120°
-140°
-160°
-180°
-200°
1000
82°
-120°
83°
-100°
84°
-80°
85°
-60°
86°
图7.共栅的S参数
幅度与频率
θ
11
,
θ
12
-20° 120°
-40° 100°
80°
60°
40°
20°
100
θ
12
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
200
300
500
男,频率(MHz)
θ
21
θ
11
θ
21
θ
21
,
θ
22
θ
11
θ
22
0
-20°
-40°
-60°
-80°
-100°
1000
200
300
500
男,频率(MHz)
700
图8.共栅参数y
相角与频率
图9. s参数相角
与频率
8.0
7.0
NF ,噪声系数(dB )
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
4.0
6.0
8.0
10 12
14 16
18
I
D
,漏极电流(毫安)
20
22
V
DD
= 20 V
F = 450 MHz的
BW
10兆赫
图1所示电路
G
pg
NF
24
21
PG ,功率增益(分贝)
NF ,噪声系数(dB )
18
15
12
9.0
6.0
3.0
0
24
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
50
100
200 300
男,频率(MHz)
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
图1所示电路
G
pg
26
PG ,功率增益(分贝)
22
18
14
10
NF
6.0
2.0
500 700 1000
图10.噪声系数和
功率增益与漏电流
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4
图11.噪声系数和功率增益
与频率
J308 J309 J310
C1
S
输入
R
S
= 50
L1
C2
L2
C3
G
U310
D
C4
L3
C5
L4
产量
R
L
= 50
C6
V
S
V
D
B
W
(3 dB为单位) - 36.5兆赫
I
D
= 10 MADC
V
DS
= 20伏直流
设备外壳接地
IM测试音调 - F1 = 449.5兆赫, F2 = 450.5兆赫
C1 = 1-10 pF的约翰森空气可变微调。
C2,C5 = 100pF的供给通钮电容器。
C3,C4, C6 = 0.5-6 pF的约翰森空气可变切边
MER 。
L1 = 1/8 “× 1/32 ”× 1-5 / 8 “铜条。
L2 , L4 = Ferroxcube公司Vk200呛。
L3 = 1/8 “× 1/32 ”× 1-7 / 8 “铜条。
图12. 450 MHz的IMD评估放大器
放大器的功率增益和IMD产物是负载阻抗的函数。对于放大器的设计上面显示有
C4和C6调整,以反映负载造成9分贝,三阶截取点的额定功率增益漏极( IP )
值是29 dBm的。调节C4,C6 ,以提供较大的负载的值将导致更高的增益,小的带宽和更低的IP
值。例如,为13 dB的标称增益可以为19 dBm的截点来实现。
+40
输出功率PER TONE ( DBM)
+20
0
-20
-40
-60
-80
-100
-120
-120
U310 JFET
V
DS
= 20伏直流
I
D
= 10 MADC
F1 = 449.5兆赫
F2 = 450.5兆赫
3阶截取点
基本输出
三阶IMD输出
-100
-60
-40
-20
-80
输入功率PER TONE ( DBM)
0
+20
拦截点的情节使用示例:
假设-20 dBm的带内的两个信号在了放大器
呃输入。它们将产生一个第三阶IMD信号在
-90 dBm的输出。另外,每个信号电平在
输出将是-11 dBm时,示出的放大器的增益
9.0分贝和互调比( IMR )的能力
79分贝。增益和IMR值仅适用于显
最终水平低于对照。
图13.双音3阶截取点
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    J308/D
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    -
    -
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