SMD型
晶体管
硅NPN高电压开关晶体管
FMMT459
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
1
2
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
低饱和电压 - 90MV @ 50毫安
的hFE
50 @ 30马
0.55
6V反向阻断能力
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
I
C
= 150毫安连续
+0.1
0.38
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流* 1
基极电流
功率耗散@ T
A
=25 * 1
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25 *2
线性降额因子
工作和存储温度范围
？结到环境* 1
结到环境* 2
T
j
:T
英镑
R
θJA
R
θJA
P
D
符号
V
CBO
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
V
ECV
I
CM
I
C
I
B
P
D
等级
500
500
450
6
6
0.5
0.15
0.2
625
5
806
6.4
-55到+150
200
155
/W
/W
A
mW
毫瓦/
mW
毫瓦/
单位
V
V
V
V
V
A
* 1对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高1盎司的铜，在
静止空气条件
* 2如上述在t<5secs测定。
0-0.1
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