FMMT459
450V硅NPN高压开关晶体管
摘要
V
首席执行官
=450V; V
CE
（SAT） = 100mV的;我
C
= 150毫安
描述
这种新的高电压tranistor为用户提供了非常effiecient
结合高性能低V
CE
（SAT）和HFE给予极低的状态
在450V的操作损失，因此非常适合高效率的电信应用
和保护线路开关应用。
特点
低饱和电压 - 90MV @ 50毫安
的hFE
50分钟@ 30毫安
I
C
= 150毫安连续
SOT23封装的P合计625mW
规范可以在更大的封装外形提供
SOT23
应用
电子测试仪器
离线开关电路
压电致动器。
RCD电路。
E
C
B
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
顶视图
订购信息
设备
FMMT459TA
FMMT459TC
带尺寸
（英寸）
7
13
器件标识
459
第2期 - 2001年12月
1
FMMT459
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
500
450
5
500
150
200
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
第2期 - 2001年12月
2
FMMT459
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极发射极
截止电流
集电极发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
H
FE
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
113
3450
50
50
5
60
70
.76
.71
120
70
兆赫
P
F
分钟。
500
450
5
典型值。
700
500
8
马克斯。
单位
V
V
V
条件
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安*
I
E
= 100A
V
CB
= 450V
V
EB
= 5V
V
CE
= 450V
I
C
= 20mA时，我
B
= 2毫安*
I
C
= 50mA时我
B
= 6毫安*
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安*
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V*
I
C
= 30mA时V
CE
= 10V*
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V*
I
C
= 10毫安，V
CE
= 20V
F = 20MH
Z
V
CB
= 20V ， F = 1MH
Z
I
C
= 50mA时V
C
= 100V
I
B1
= 5毫安，我
B2
= 10毫安
I
C
= 50mA时V
C
= 100V
I
B1
= 5毫安，我
B2
= 10毫安
100
100
100
75
90
.9
.9
nA
nA
nA
mV
mV
V
V
ns
ns
* plused的条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。 Dury周期<2 ％
NB 。对于高电压应用，相应的行业部门的准则应该是
考虑与问候端子之间的电压间隔。
第2期 - 2001年12月
3
SMD型
晶体管
硅NPN高电压开关晶体管
FMMT459
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
1
2
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
低饱和电压 - 90MV @ 50毫安
的hFE
50 @ 30马
0.55
6V反向阻断能力
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
I
C
= 150毫安连续
+0.1
0.38
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流* 1
基极电流
功率耗散@ T
A
=25 * 1
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25 *2
线性降额因子
工作和存储温度范围
？结到环境* 1
结到环境* 2
T
j
:T
英镑
R
θJA
R
θJA
P
D
符号
V
CBO
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
V
ECV
I
CM
I
C
I
B
P
D
等级
500
500
450
6
6
0.5
0.15
0.2
625
5
806
6.4
-55到+150
200
155
/W
/W
A
mW
毫瓦/
mW
毫瓦/
单位
V
V
V
V
V
A
* 1对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高1盎司的铜，在
静止空气条件
* 2如上述在t<5secs测定。
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
FMMT459
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输比
符号
BV
CBO
BV
CEV
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECV
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
C
=100ìA
I
C
=10ìA,0.3V
I
C
=10mA
I
E
=100ìA
I
C
=1ìA,0.3V
V
CE
=450V
V
CB
=450V
V
EB
=5V
I
C
=30mA,V
CE
=10V
I
C
=50mA,V
CE
=10V *
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
上的电压基极 - 发射极转*
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
V
CE（
SAT ）
I
C
=20mA,I
B
=2mA
I
C
=50mA,I
B
=6mA
V
BE （
SAT ）I
C
=50mA,I
B
=5mA
V
BE （
对）I
C
=50mA,V
CE
=10V
f
T
C
敖包
吨
花花公子
I
C
=10mA,V
CE
=20V,f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
I
C
= 50mA时V
CC
=100V
I
B1
= 5毫安，我
B2
=10mA
2%
V
BC
-6V
V
BE
-1V
Testconditons
晶体管
民
500
500
450
6
6
典型值
700
700
500
8.1
8.1
最大
单位
V
V
V
V
V
100
100
100
50
120
70
60
70
0.76
0.71
50
5
113
3450
75
90
0.9
0.9
nA
nA
nA
mV
mV
V
V
兆赫
pF
ns
ns
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300 ;占空比
记号
记号
459
2
www.kexin.com.cn
FMMT459
500V硅NPN高电压开关晶体管
摘要
V
（ BR ） CEV
> 500V
V
（ BR ） ECV
> 6V
I
C（ CONT ）
= 150毫安
V
CE （ SAT ）
= 70 mV的@ 50毫安
描述
这种新的高压晶体管为用户提供了非常高效的性能，结合低
V
CE （ SAT ）
高HFE给予极低的通态损耗在500V操作，因此非常适合使用
在高效率的电信和保护线路开关应用。
特点
■
6V反向阻断能力
■
低饱和电压 - 90MV @ 50毫安
■
的hFE
50 @ 30马
■
I
C
= 150毫安连续
■
SOT23封装的P合计625mW
■
规格可以在其他包装纲要提供
应用
■
电子测试仪器
■
离线开关电路
■
压电致动器
■
RCD电路
订购信息
设备
FMMT459TA
FMMT459TC
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8
8
QUANTITY
每卷
3,000
10,000
引脚输出 - 顶视图
器件标识
459
第5期 - 2005年8月
捷特科股份有限公司2005
1
www.zetex.com
FMMT459
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
*
基极电流
功率耗散@ T
A
=25°C
*
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
V
ECV
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
500
500
450
6
6
0.5
0.15
0.2
625
5
806
6.4
-55
+150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境
*
结到环境
符号
R
JA
R
JA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
*对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高1盎司的铜，在静止空气条件
如上面的t<5secs测量。
第5期 - 2005年8月
捷特科股份有限公司2005
2
www.zetex.com
FMMT459
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
（反向阻断）
集电极 - 发射极
截止电流
集电极 - 基
截止电流
发射极 - 基
截止电流
静态正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极导通
电压
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
BV
CBO
BV
CEV
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECV
分钟。
500
500
450
6
6
典型值。
700
700
500
8.1
8.1
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
条件
I
C
= 100 A
I
C
= 10 A,
0.3V > V
BE
> -1V
I
C
= 10毫安
*
I
E
= 100 A
I
C
= 1 A,
0.3V > V
BC
> -6V
V
CE
=450V
V
CB
=450V
V
EB
=5V
I
C
= 30mA时V
CE
= 10V
I
C
= 50毫安
*
, V
CE
= 10V
75
90
0.9
0.9
mV
mV
V
V
兆赫
5
113
3450
P
F
I
CES
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
50
120
70
60
70
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
50
0.76
0.71
100
100
100
nA
nA
nA
I
C
= 20mA时，我
B
= 2毫安
*
I
C
= 50mA时我
B
= 6毫安
*
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
*
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
*
I
C
= 10毫安，V
CE
= 20V
F = 20MHz的
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
I
C
= 50mA时V
C
= 100V
I
B1
= 5毫安，我
B2
= 10毫安
I
C
= 50mA时V
C
= 100V
I
B1
= 5毫安，我
B2
= 10毫安
ns
ns
注意事项：
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300秒;占空比<2 ％
注意：
对于高电压应用，相应的行业部门的准则应该是
考虑与问候端子之间的电压间隔。
第5期 - 2005年8月
捷特科股份有限公司2005
4
www.zetex.com
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
FMMT459
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
1
2
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
低饱和电压 - 90MV @ 50毫安
的hFE
50 @ 30马
0.55
6V反向阻断能力
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
I
C
= 150毫安连续
+0.1
0.38
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流* 1
基极电流
功率耗散@ T
A
=25 * 1
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25 *2
线性降额因子
工作和存储温度范围
？结到环境* 1
结到环境* 2
T
j
:T
英镑
R
θJA
R
θJA
P
D
符号
V
CBO
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
V
ECV
I
CM
I
C
I
B
P
D
等级
500
500
450
6
6
0.5
0.15
0.2
625
5
806
6.4
-55到+150
200
155
/W
/W
A
mW
毫瓦/
mW
毫瓦/
单位
V
V
V
V
V
A
* 1对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高1盎司的铜，在
静止空气条件
* 2如上述在t<5secs测定。
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
FMMT459
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输比
符号
BV
CBO
BV
CEV
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECV
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
C
=100ìA
I
C
=10ìA,0.3V
I
C
=10mA
I
E
=100ìA
I
C
=1ìA,0.3V
V
CE
=450V
V
CB
=450V
V
EB
=5V
I
C
=30mA,V
CE
=10V
I
C
=50mA,V
CE
=10V *
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
上的电压基极 - 发射极转*
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
V
CE（
SAT ）
I
C
=20mA,I
B
=2mA
I
C
=50mA,I
B
=6mA
V
BE （
SAT ）I
C
=50mA,I
B
=5mA
V
BE （
对）I
C
=50mA,V
CE
=10V
f
T
C
敖包
吨
花花公子
I
C
=10mA,V
CE
=20V,f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
I
C
= 50mA时V
CC
=100V
I
B1
= 5毫安，我
B2
=10mA
2%
113
3450
50
5
50
120
70
60
70
0.76
0.71
75
90
0.9
0.9
mV
mV
V
V
兆赫
pF
ns
ns
V
BC
-6V
V
BE
-1V
Testconditons
民
500
500
450
6
6
典型值
700
700
500
8.1
8.1
100
100
100
最大
单位
V
V
V
V
V
nA
nA
nA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300 ;占空比
记号
记号
459
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
QQ：2880707522 复制
