FDB3860的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
60
V
GS
= 10 V
V
GS
= 8.0 V
V
GS
= 7.0 V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 6.5 V
归
漏极至源极导通电阻
3.0
V
GS
= 6.0 V
50
I
D
,
漏电流（ A）
2.5
2.0
1.5
V
GS
= 6.5 V
V
GS
= 7.0 V
V
GS
= 8.0 V
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,
漏源极电压（ V）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6.0 V
1.0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
0.5
0
10
20
30
40
50
60
I
D
,
漏电流（ A）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
2.2
归
漏极至源极导通电阻
100
源导通电阻
(
m
)
I
D
= 5.9 A
V
GS
= 10 V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-75
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
80
I
D
= 5.9 A
r
DS （ON ） ，
漏
60
T
J
= 125
o
C
40
20
0
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
5
6
7
8
9
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
60
50
I
D
，漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0 V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
10
1
0.1
0.01
T
J
= -55
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
V
DS
= 10 V
40
30
T
J
=
150
o
C
T
J
= 25
o
C
20
10
T
J
= -55
o
C
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
2009仙童半导体公司
FDB3860 Rev.C
3
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