FDB3860的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
100
104
1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.9 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.9 A，T
J
= 125 °C
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.9 A
2.5
3.8
-11
31
56
18
37
67
4.5
V
毫伏/°C的
m
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
1310
100
40
1.7
1740
130
65
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷为10 V
门源费
栅漏“米勒”充电
V
DD
= 50 V，I
D
= 5.9 A
V
DD
= 50 V，I
D
= 5.9 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
12
6
17
3
21
6.9
5.4
22
12
31
10
30
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.0 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 5.9 A
（注2 ）
（注2 ）
0.7
0.8
35
37
1.2
1.3
56
60
V
ns
nC
I
F
= 5.9 A， di / dt的= 100 A / s
注意事项：
1:
R
θJA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。
R
θJC
由设计而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a
.
在安装于1时40℃ / W的
2
2盎司纯铜垫
b
.
安装在最小焊盘时， 62.5 ° C / W 。
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
3:
起始物为
J
= 25
°
C，L = 3 mH的，我
AS
= 8 A，V
DD
= 100 V, V
GS
= 10 V.
2009仙童半导体公司
FDB3860 Rev.C
2
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