位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第0页 > EDD5116AFTA-5BH-E > EDD5116AFTA-5BH-E PDF资料 > EDD5116AFTA-5BH-E PDF资料1第40页
写命令，以连续预充电命令间隔（同一银行）
的最小时间间隔tWPD是写命令和预充电命令之间必要的。
t0
t1
t2
t3
t4
t5
t6
CK
/ CK
命令
DM
的DQ
DQ
预充电终止的写入周期
在没有自动预充电突发写入周期中，猝发写操作是由一个预充电命令终止
的同一行。为了写最后的输入数据， tWR的（最小）必须得到满足。当预充电命令
发出后，无效数据必须由糖尿病所掩盖。
t0
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t7
CK
/ CK
命令
DM
的DQ
DQ
初步数据表E0957E30 （版本3.0 ）
;
;
;
;
;
;;
;;
;
EDD5116AFTA-H
t7
WRIT
NOP
PRE / PALL
NOP
tWPD
tWR的
in0
in1
in2
in3
最后一个数据输入
写入预充电命令间隔（同一银行） （ BL = 4 ）
WRIT
NOP
PRE / PALL
NOP
tWR的
in0
in1
in2
in3
数据屏蔽
预充电终止的写入周期（同一银行） （ BL = 4 ）
40
