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初步数据表
512M比特DDR SDRAM
高品质产品
EDD5116AFTA -H （ 32M字
×
16比特）
特定网络阳离子
密度： 512M位
组织
8M字
×
16位
×
4银行
封装： 66引脚塑料TSOP （ II ）
无铅（符合RoHS）
电源：
DDR400 ： VDD ， VDDQ
=
2.6V
±
0.1V
DDR333 ： VDD ， VDDQ
=
2.5V
±
0.2V
数据传输速率： 400Mbps的/ 333Mbps （最大）
四大银行内部的并发操作
接口： SSTL_2
脉冲串长度（BL） ： 2，4， 8
突发类型（BT） ：
顺序（ 2，4， 8）
交织（ 2，4， 8）
/ CAS延迟（CL） ： 2 ，2.5％， 3
预充电：对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力：正常/弱
刷新：自动刷新，自刷新
刷新周期： 8192次/ 64ms的
平均更新周期： 7.8μs
工作环境温度范围
TA = 0°C至+ 70°C
特点
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
高速数据传输是通过2位来实现
预取流水线结构
双向数据选通（ DQS）被发送
/接收的数据，并在接收捕获数据
数据的输入，输出和DM与同步
的DQ
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码（DM）写入数据
一号文件E0957E30 （版本3.0 ）
发布日期2006年11月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， 2006年公司
