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EDD5116AFTA-H
读/写操作
银行主动
读或写操作开始，该行激活命令[ ACT ] 。该行激活命令确定
存储体地址和行地址。对于银行，该行的读或写命令后，可以发出的tRCD
该行为发出。
读操作
脉冲串长度（BL）上，/ CAS延迟（CL）和所述模式寄存器的脉冲串类型（BT ）被称为当一个读
命令被发出。脉冲串长度（ BL），被读入指令确定的顺序输出数据的长度
可被设置为2， 4或8读取由列地址所定义的脉冲串的起始地址，该行选择
这是通过A0加载到A12和BA0地址，当发出BA1引脚在循环读出的命令。该
数据输出时序的特点是CL和TAC 。读决堤的开始CL
TCK + TAC （ NS ）后的时钟上升沿
缘，其中所述读取命令被锁存。在DDR SDRAM输出通过DQS数据选通同步
用的数据。 tRPRE之前的数据选通的第一个上升沿时， DQS从VTT的水平驱动为低电平。这种低
DQS的周期称为读序言。突发数据被输出巧合同时在上升和下降
数据选通信号的边沿。 DQ管脚变为高阻在下一循环中的突发读取操作完成之后。
tRPST从数据选通信号的最后一个下降沿， DQS引脚变为高阻。 DQS的这种低周期
简称为阅读后同步。
t0
CK
/ CK
tRCD的
命令
NOP
法案
NOP
读
NOP
t1
t5
t6
t7
t8
t9
t10
t11
地址
ROW
COLUMN
tRPRE
BL = 2
的DQ
DQ
OUT0 OUT1
tRPST
BL = 4
OUT0 OUT1 OUT2 OUT3
BL = 8
OUT0 OUT1 OUT2 OUT3 OUT4 OUT5 OUT6 OUT7
CL = 3
BL ：突发长度
读操作（突发长度）
初步数据表E0957E30 （版本3.0 ）
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