CY14B108L ， CY14B108N
表2.模式选择
CE
H
L
L
L
WE
X
H
L
H
OE ， BHE ， BLE
[3]
X
L
X
L
A
15
- A
0
[5]
X
X
X
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8B45
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4B46
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8FC0
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4C63
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
关闭
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储启用
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
[6]
L
H
L
活跃
[6]
L
H
L
我主动
CC2[6]
L
H
L
活跃
[6]
笔记
5.虽然有关于CY14B108L （在CY14B108N 19条地址线） 20的地址线中，只有13个地址线（甲
14
- A
2
）被用于控制软件模式。
地址线的其余部分都不在乎。
6. 6个连续地址单元必须按列出的顺序。我们必须为高电平期间所有六个周期，使非易失性周期。
文件编号： 001-45523修订版* D
第24 6
[+ ]反馈
