CY14B104L ， CY14B104N
文档标题： CY14B104L / CY14B104N 4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM
文档编号： 001-07102
启示录
*J
ECN号
2600941
服从
日期
11/04/08
原稿。的
变化
GVCH / PYRS
变化的说明
除去15 ns访问速度
更新逻辑框图
更新脚注1
添加脚注2和5
引脚定义：更新WE ， HSB和NC引脚说明
第4页：更新SRAM读取，写入SRAM ，自动存储操作说明
第4页：硬件更新的存储操作和硬件RECALL （上电）
描述
注：1参考的模式选择表
第6页：更新的数据保护说明
最大额定值：增加最大。累计储存时间
改变了我
CC2
从6毫安至10mA
改变了我
CC4
从6毫安到5毫安
改变了我
SB
从3毫安到5毫安
我更新
CC1,
I
CC3 ,
I
SB
我
OZ
测试条件
改变了V
帽
最大值从82uf至180uF
更新脚注10和11
添加脚注12
添加的数据保留和耐力表
更新输入上升和下降时间在AC测试条件
引用脚注15吨
OHA
参数
更新了所有的开关波形
补充图10 （ SRAM写周期： BHE和BLE控制）
改变的吨
延迟
分别为20ns ， 25ns的，用于为25ns 15ns的，为20ns ，为45nS部分
改变的吨
商店
从15毫秒到8毫秒
加V
HDIS
, t
HHHD
和T
LZHSB
参数
更新脚注21
添加脚注24
软件控制的存储/调用周期表：更改吨
AS
给T
SA
改变的吨
GHAX
给T
HA
加入叔
DHSB
参数
改变的吨
HLHX
给T
PHSB
更新牛逼
SS
从70us到100us的
对于SRAM操作添加真值表
最新的订购信息和零件编号命名
去除初步形成头。
改变的吨
延迟
到1微秒（分钟）和70us （最大值）为所有三个存取时间
第4页：删除有关要求写入文本后HSB变低的
抑制。
第5页：修改软件商店的说明，表示没有进一步的读/写
允许吨
SS
之后第六个读周期的持续时间。
添加参数T
PURHH
到自动存储上电召回台
更新图11 ， 12和13 。
加入叔
HLBL
参数
除去吨
DHSB
参数
更新图14 ，五金店周期
改变SIMTEK商标赛普拉斯
*K
*L
2612931
2625431
11/26/08
12/19/08
AESA
GVCH / DSG
文件编号： 001-07102修订版* L
第24页25
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