CY14B104L ， CY14B104N
文档标题： CY14B104L / CY14B104N 4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM
文档编号： 001-07102
启示录
*F
ECN号
1889928
服从
日期
见ECN
原稿。的
变化
vsutmp8/AE-
SA
变化的说明
添加脚注1 ， 2和3 。
更新逻辑框图
加入48 - FBGA （ X8 ）引脚图
改变的8Mb地址扩展针脚从43引脚到引脚42为44 - TSOP II （ X8 ） 。
更新的引脚定义表。
在V纠正错字
IL
最小规格
改变了我的价值
CC3
从25毫安到13毫安
改变了我
SB
值在1mA至2mA
重新排列的脚注。
更新订购信息表
加入BHE和BLE信息中引脚定义表
更新了图4 （自动存储模式）
更新脚注6
改变了我
CC2
＆放大器;我
CC4
3 mA至6毫安
改变了我
CC3
13 mA至15毫安
改变VCAP从35uF最小和57uF最大值为54uF最小和最大82uF
价值
改变了我
SB
从2 mA至3毫安
添加输入漏电流（I
IX
）的HSB直流电气特性表
在T纠正错字
DBE
值从22 ns至20 ns的45 ns的一部分
在T纠正错字
HZBE
值从22 ns至15 ns的45 ns的一部分
在T纠正错字
AW
从15纳秒值10ns的15 ns的一部分
改变的吨
召回
从100到200我们
添加脚注9和25 ;重新定义脚注14和21
添加脚注14图7 （ SRAM写周期＃ 1 ）
除去8毫安典型I
CC
在200 ns的周期时间段特征
引用脚注8至我
CC3
在DC特性表
改变了我
CC3
15 mA至35毫安
改变VCAP最小值54用友61 uF的
改变的吨
AVAV
给T
RC
图11 ：更改吨
SA
给T
AS
和T
SCE于
t
CW
增加了20 ns的访问速度， “功能”
加我
CC1
对于T
RC
= 20 ns的工业和商业温度
GRADE
最新热电阻表值48 ， FBGA封装， 44 - TSOP II和
54 - TSOP II封装
加入AC开关特性的规格为20 ns的访问速度
增加了软件控制的存储/调用循环规格为20 ns访问
速度
最新的订购信息和零件编号命名
*G
2267286
见ECN
GVCH / PYRS
*H
2483627
见ECN
GVCH / PYRS
*I
2519319
06/20/08
GVCH / PYRS
文件编号： 001-07102修订版* L
第23页25
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