初步
CY14B101P
图7.写状态寄存器（ WRSR ）指令时序
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
操作码
DATA IN
SI
SO
0
0
0
0
高阻
0
0
0
1
D7 0
最高位
0
0 D3 D2 0
0
最低位
写保护和块保护
CY14B101P提供的功能的软件和硬件
使用WRDI指令和WP写保护。此外，此
器件还通过BP0提供块保护机制
与BP1引脚的状态寄存器。
写使能和该装置的禁用状态由指示
温位的状态寄存器。写指令（ WRSR ，
写和WRTC ）和NVSRAM特殊指令（ STORE ，
回想一下， ASENB ， ASDISB ）需要启用写入（ WEN
位= 1） ，可以发出前。
写禁止（ WRDI ）指令
写禁止指令通过清除WEN禁用写
位为“0” ，以保护设备不受意外写入。
该指令是继CS ，随后下降沿发出
由操作码WRDI指令。 WEN位被清除的
CS的跟随WRDI指令上升沿。
图9. WRDI指令
CS
0
SCK
SI
SO
0
0
0
0
0
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
写使能（ WREN ）指令
上电时，该装置总是处于写禁止状态。该
下面WRITE ， WRSR ， WRTC ，或NVSRAM特殊指令
因此，必须在前面加一个写使能指令。如果
设备没有写使能（WEN = ' 0 ' ） ，它忽略了写
指令，并返回到等待状态时， CS被
HIGH 。一种新的CS下降沿被要求重新启动序列
通信。该指令是继落下发出
CS的边缘。当该指令时，状态的WEN位
寄存器设置为“1”。
记
一个写指令完成后（ WRSR ，写或
WRTC ）或NVSRAM特殊指令（存储，调用，
ASENB ， ASDISB ）指令， WEN位清“0” 。这是
做任何意外写操作提供保护。
因此， WREN指令之前，需要一个新的使用
写指令可以被发出。
图8. WREN指令
CS
0
SCK
SI
SO
0
0
0
0
0
1
1
0
1
2
3
4
5
6
7
高阻
块保护
使用的的BP0和BP1引脚提供块保护
状态寄存器。这些位可以使用WRSR指令设置
并探讨使用RDSR指令。该NVSRAM分
分为四个数组段。四分之一，二分之一，或全部的
存储器段可以被保护。内的任何数据
保护段是只读的。
表5
示出的功能
块保护位。
表5块写保护位
状态寄存器位
数组地址保护
BP1
BP0
0
0
0
无
1 (1/4)
0
1
0x18000-0x1FFFF
2 (1/2)
1
0
0x10000-0x1FFFF
3 （全）
1
1
0x00000-0x1FFFF
水平
高阻
硬件写保护（ WP引脚）
写保护引脚（ WP ）用于提供硬件写
保护。 WP引脚允许所有正常的读写操作
当保持高电平。当WP引脚被拉低，并WPEN
位是'1' ，所有的写操作状态寄存器被禁止。
硬件写保护功能被阻断时的
WPEN位为“0” 。这允许用户在安装CY14B101P
在与WP引脚的系统连接至地，并且仍然写入
状态寄存器。
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文件编号： 001-44109修订版* C
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