初步
CY14B101P
WP引脚可与WPEN和块保护位可以一起使用
（ BP1和BP0 ）状态寄存器的抑制写入内存。
当WP引脚为低电平且WPEN被设置为' 1'时，任何修改
到状态寄存器将被禁用。因此，该存储器是
通过设置BP0和BP1位和WP引脚抑制保护
状态的任何修改寄存器位，提供硬件
写保护。
记
WP变低时， CS仍然偏低，对任何没有影响
正在进行的写操作状态寄存器。
表6
总结了所提供的所有保护功能
CY14B101P.
表6.写保护操作
WPEN
X
0
1
1
WP
X
X
低
高
状态
温保护未受保护注册
块
块
0
1
1
1
保护
保护
保护
保护
保护
可写
可写
可写
保护
可写
保护
可写
字节。在最后一个地址位在SI引脚发送时，
数据（ D7 - D0 ），在特定的地址移出SO线
在SCK的下降沿。在SI线上的任何其他数据在最后
地址位被忽略。
CY14B101P允许读取要隔三差五通过SPI执行
它可以被用来读取连续的地址而不
发出新的READ指令。如果只有一个字节被读取，
一个字节的数据来后CS线必须驱动为高电平
出。然而，读序列可以通过保持继续
在CS为低电平，地址会自动递增
而数据继续移出的SO引脚。当最后的数据
内存地址（ 0x1FFFF ）到达时，地址翻转到
为0x0000和设备继续阅读。
写操作（写）
通过执行上CY14B101P的写操作
串行输入（ SI ）引脚。到，如果执行写操作CY14B101P ，
该设备是写禁用，则该设备必须先写
通过WREN指令启用。当写操作
启用（WEN = ' 1 ' ） ，写指令的下跌后发出
CS的边缘。写指令构成的传输
在SI线后3个字节的地址顺序写操作码
和数据（ D7-D0 ），其是要被写入。最重要
地址字节包含A16的位0与其他位是不
问津。地址位A15至A0发送在以下两个
地址字节。
CY14B101P允许写入在爆发通过SPI执行
这可用于，而不写入连续的地址
发布新的写指令。如果只有一个字节将被写入，
在D0后， CS线必须驱动为高电平（ LSB数据）是
传输。然而，如果有更多的字节将被写入， CS线
必须保持为低电平，地址自动递增。该
在SI线以下的字节被视为数据字节和
写在连续地址中。当最后的数据存储器
地址（ 0x1FFFF ）到达时，地址翻转为0x0000
和器件继续写。
WEN位复位为“0”上写序列的完成。
内存访问
所有的内存访问都使用的读取和写入完成
指令。这些指令不能被使用，而一个商店
或者RECALL周期正在进行中。商店周期进展
由状态寄存器和HSB引脚RDY位表示。
读序列（READ ）
上CY14B101P的读取操作是通过为执行
指令的串行输入引脚（ SI）和读取输出上
串行输出（ SO ）引脚。下面的顺序需要能可
随后的读操作： CS线之后被拉低到
选择设备时，读操作码，通过在SI发送
接着的三个字节的地址线。最重要
地址字节包含A16的位0和其他位为无关位。
地址位A15至A0发送在以下两个地址
图10.读指令时序
CS
SCK
操作码
17位地址
SI
SO
0
0
0
0
0
0
1
1
0 0
最高位
0
0
0
0
0
A16
~ ~
~ ~
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
20 21 22 23 0
1
2
3
4
5
6
7
A3 A2 A1 A0
最低位
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
最高位
最低位
数据
文件编号： 001-44109修订版* C
第10页33
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