初步
CY14B101LA ， CY14B101NA
1兆位（ 128K ×8 / 64K ×16 ）的nvSRAM
特点
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功能说明
赛普拉斯CY14B101LA / CY14B101NA是一个快速静态RAM ，
与在每个存储单元的非易失性元件。内存
组织为128K字节的8位的每个或16位64K字
每一个。嵌入式非易失性元件结合
QuantumTrap技术，生产世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读写
周期，而独立的非易失性数据驻留在高度
可靠QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非易失性元件（实体店经营）发生
在自动关闭电源。上电时，数据恢复
从非易失性存储器SRAM中（该RECALL操作）。
无论是STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
20纳秒， 25纳秒，和45 ns访问时间
内部组织为128K ×8 （ CY14B101LA ）或64K ×16
(CY14B101NA)
关上掉电自动STORE手中只有一小
电容
STORE到QuantumTrap发起的非易失性元件
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读，写和召回周期
200000 STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3V + 20 ％到-10 ％操作
商用和工业温度
44分之54引脚TSOP -II ， 48引脚SSOP和32引脚SOIC封装
无铅并符合RoHS标准
逻辑框图
[1, 2, 3]
笔记
1.地址
0
- A
16
对于X8的配置和地址
0
- A
15
对于X16的配置。
2.数据DQ
0
- DQ
7
对于X8的配置和数据DQ
0
- DQ
15
对于X16的配置。
3. BHE和BLE适用于只有X16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-42879修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年7月9日
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