CY14B101L
AC开关特性
SRAM读周期
参数
柏
ALT
参数
t
ACE
t
ELQV
[7]
t
AVAV ，
t
ELEH
t
RC
[8]
t
AA
t
AVQV
t
美国能源部
t
GLQV
[8]
t
AXQX
t
OHA
t
LZCE [9]
t
ELQX
[9]
t
HZCE
t
EHQZ
[9]
t
GLQX
t
LZOE
[9]
t
HZOE
t
GHQZ
[6]
t
PU
t
ELICCH
[6]
t
EHICCL
t
PD
25纳秒
描述
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
民
25
25
12
3
3
10
0
10
0
25
0
35
0
13
0
45
3
3
13
0
15
最大
25
35
35
15
3
3
15
35纳秒
民
最大
35
45
45
20
45纳秒
民
最大
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关波形
图5. SRAM读周期1 ：地址控制
[7, 8, 10]
图6. SRAM读周期2 ： CE和OE控制
[7, 10]
笔记
7.我们和HSB必须是高在SRAM读周期。
8.设备不断选择CE和OE两个低。
9.测量± 200 mV的自稳态输出电压。
10. HSB必须在读取和写入周期保持高电平。
文件编号： 001-06400修订版*
第9页18
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