INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0
I
C
= 3A ;我
B
= 0.6A
I
C
= 3A ;我
B
= 0.6A
V
CE
= 850V; V
BE
= 0
V
CE
= 850V; V
BE
= 0; T
j
= 125℃
V
EB
= 9V ;我
C
= 0
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
10
10
民
450
典型值。
BUT11F
最大
单位
V
1.5
1.3
1.0
2.0
10
35
35
V
V
mA
mA
开关时间;阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.5A ;我
B1
= -I
B2
= 0.5A
1.0
4.0
0.8
μs
μs
μs
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