SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220Fa包
·高电压，高转速
应用
·转换器
·逆变器
开关稳压器
·电机控制系统
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
BUT11F BUT11AF
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BUT11F
BUT11AF
BUT11F
BUT11AF
条件
发射极开路
价值
850
1000
400
450
9
5
10
2
4
T
C
=25
40
150
-65~150
单位
V
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
开基
集电极开路
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
3.125
单位
K / W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUT11F BUT11AF
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
BUT11F/11AF
BUT11F/11AF
高压功率开关应用
1
TO-220F
2.Collector
3.Emitter
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
： BUT11F
： BUT11AF
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： BUT11F
： BUT11AF
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
*基本电流（脉冲）
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
参数
1.Base
价值
850
1000
400
450
9
5
10
2
4
40
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： BUT11F
： BUT11AF
集电极截止电流
： BUT11F
： BUT11AF
I
EBO
V
CE
（SAT）
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
： BUT11F
： BUT11AF
基射极饱和电压
： BUT11F
： BUT11AF
启动时间
贮存时间
下降时间
V
CE
= 850V, V
BE
= 0
V
CE
= 1000V, V
BE
= 0
V
BE
= 9V ，我
C
= 0
I
C
= 3A ，我
B
= 0.6A
I
C
= 2.5A ，我
B
= 0.5A
I
C
= 3A ，我
B
= 0.6A
I
C
= 2.5A ，我
B
= 0.5A
V
CC
= 250V ，我
C
= 2.5A
I
B1
= -I
B2
= 0.5A
R
L
= 100
1
1
10
1.5
1.5
1.3
1.3
1
4
0.8
mA
mA
mA
V
V
V
V
s
s
s
测试条件
I
C
= 100mA时我
B
= 0
分钟。
400
450
典型值。
马克斯。
单位
V
V
I
CES
V
BE
（SAT）
t
ON
t
英镑
t
F
*脉冲：脉冲持续时间= 300μS ，占空比= 1.5 ％
热特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
R
θJC
参数
热阻，结到外壳
典型值
最大
3.125
单位
° C / W
修订版A2 ， 2001年8月
2001仙童半导体公司
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUT11F
概述
高电压，在SOT186信封电绝缘高速玻璃钝化NPN功率晶体管
安装底座，用于在变频器，逆变器，开关稳压器，电机控制系统等的使用
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
850
400
5
10
20
1.5
3
800
单位
V
V
A
A
W
V
A
ns
T
hs
≤
25 C
[包含]
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
850
450
5
10
2
4
20
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
hs
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到环境
条件
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
55
马克斯。
3.95
-
单位
K / W
K / W
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
1500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
12
-
pF
1997年8月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BUT11F
图11 。典型的基极 - 发射极和集电极发射极饱和电压。
V
BESAT
= F（我
C
); V
CESAT
= F（我
C
); I
C
/I
B
= 5
图12 。集电极 - 发射极饱和电压。实线=典型值，
虚线=最大值。 V
CESAT
= F（我
B
） ;参数I
C
1997年8月
5
启1.000
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220Fa包
高
电压，高速
应用
·转换器
·逆变器
切换
稳压器
Motor
控制系统
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
BUT11F BUT11AF
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
固电
IN
导½
半
参数
条件
发射极开路
BUT11F
集电极 - 基极电压
BUT11AF
BUT11F
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
昂
CH
BUT11AF
MIC
ê SE
开基
集电极开路
ND
O
OR
UCT
价值
850
1000
400
450
9
5
10
2
4
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
40
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
3.125
单位
K / W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUT11F BUT11AF
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
QQ：2880707522 复制
