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恩智浦半导体
BUK7575-100A
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
1.5
单位
K / W
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
从热阻
结到环境
R
号（j -a）的
-
60
-
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
03nb35
δ
= 0.5
0.2
0.1
P
δ
=
t
p
T
10
1
0.05
0.02
t
p
t
T
10
2
10
6
单发
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
BUK7575-100A_2
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牧师02 - 二〇〇九年七月三十○日
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