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BUK7575-100A
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
牧师02 - 二〇〇九年七月三十○日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。该产品的设计和资格
适当的AEC标准适用于汽车的关键应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
Q101标准
适用于标准水平栅极驱动
来源
适用于要求苛刻的热
由于175℃的评价环境
1.3应用
12 V ， 24 V和42 V负载
汽车和通用
电源开关
电机，灯具和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图1
和
3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
100
23
99
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
符号参数
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
V
GS
= 10 V ;我
D
= 13 A;
T
j
= 175℃ ;看
图12
和
13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 13 A;
T
j
= 25°C ;看
图12
和
13
-
-
187
m
I
D
= 14 A; V
SUP
≤
100 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
T
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
-
-
100
mJ
-
64
75
m
恩智浦半导体
BUK7575-100A
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78A
(TO-220AB)
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BUK7575-100A
TO-220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78A
TO-220AB
类型编号
BUK7575-100A_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 二〇〇九年七月三十○日
2 13
恩智浦半导体
BUK7575-100A
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图1
和
3
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V ;看
图1
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
R
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
100
100
20
23
16.2
92
99
175
175
23
92
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
I
D
= 14 A; V
SUP
≤
100 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
漏源雪崩牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
能源
120
I
DER
(%)
80
03aa24
120
P
DER
(%)
80
03na19
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
BUK7575-100A_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 二〇〇九年七月三十○日
3 13
恩智浦半导体
BUK7575-100A
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
10
3
P
03nb34
I
D
(A)
10
2
R
DSON
= V
DS
/I
D
t
p
T
δ
=
t
p
T
t
t
p
= 10我们
100美
10
特区
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
BUK7575-100A_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 二〇〇九年七月三十○日
4 13
恩智浦半导体
BUK7575-100A
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
1.5
单位
K / W
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
从热阻
结到环境
R
号（j -a）的
-
60
-
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
03nb35
δ
= 0.5
0.2
0.1
P
δ
=
t
p
T
10
1
0.05
0.02
t
p
t
T
10
2
10
6
单发
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
BUK7575-100A_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 二〇〇九年七月三十○日
5 13
BUK7575-100A;
BUK7675-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2000年10月24日
产品speci fi cation
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术，具有极低的导通电阻。
产品可用性：
BUK7575-100A在SOT78 （ TO- 220AB ）
BUK7675-100A在SOT404
(D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
Q101标准
175
°C
评级
标准电平兼容。
3.应用
c
c
s
汽车和通用电源开关：
x
12 V ， 24 V和42 V负载
x
电机，灯具和螺线管。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
mb
d
g
s
2
MBK106
MBB076
1
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
BUK7575-100A ; BUK7675-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 13 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
75
187
典型值
最大
100
23
99
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
m
m
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 14 A;
V
DS
≤
100 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
55
55
最大
100
100
±20
23
16.2
92
99
+175
+175
23
92
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
9397 750 07623
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年10月24日
2 15
飞利浦半导体
BUK7575-100A ; BUK7675-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
03aa24
120
PDER （％）
03na19
120
I
DER
(%)
100
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
0
25
50
75
100
125
150 175 200
TMB （℃ ）
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
1000
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03nb34
100
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
100美
10
特区
P
δ
=
tp
T
1毫秒
10毫秒
100毫秒
tp
T
t
1
1
10
100
VDS （ V）
1000
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 07623
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年10月24日
3 15
飞利浦半导体
BUK7575-100A ; BUK7675-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404
包
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
图4
价值
60
50
单位
K / W
K / W
1.5
K / W
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03nb35
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.1
P
0.05
δ
=
tp
T
0.02
单发
tp
T
t
0.01
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 07623
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产品speci fi cation
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飞利浦半导体
BUK7575-100A ; BUK7675-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 13 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
从漏极引线6毫米
包芯中心
从接触螺丝
安装基座到的中心
死SOT78
从漏极上缘
安装基座到的中心
死SOT404
L
s
内部源极电感
从源铅源
焊盘
V
DD
= 30 V ;
L
= 2.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5.6
;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
907
127
78
8
39
26
24
4.5
3.5
1210
150
110
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
64
75
187
m
m
0.05
2
10
500
100
A
A
nA
2
1
3
4
4.4
V
V
V
100
89
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
2.5
nH
7.5
nH
9397 750 07623
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年10月24日
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BUK7575-100A;
BUK7675-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2000年10月24日
产品speci fi cation
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术，具有极低的导通电阻。
产品可用性：
BUK7575-100A在SOT78 （ TO- 220AB ）
BUK7675-100A在SOT404
(D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
Q101标准
175
°C
评级
标准电平兼容。
3.应用
c
c
s
汽车和通用电源开关：
x
12 V ， 24 V和42 V负载
x
电机，灯具和螺线管。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
mb
d
g
s
2
MBK106
MBB076
1
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
BUK7575-100A ; BUK7675-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 13 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
75
187
典型值
最大
100
23
99
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
m
m
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 14 A;
V
DS
≤
100 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
55
55
最大
100
100
±20
23
16.2
92
99
+175
+175
23
92
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
9397 750 07623
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年10月24日
2 15
飞利浦半导体
BUK7575-100A ; BUK7675-100A
的TrenchMOS 标准水平FET
03aa24
120
PDER （％）
03na19
120
I
DER
(%)
100
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
0
25
50
75
100
125
150 175 200
TMB （℃ ）
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
1000
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03nb34
100
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
100美
10
特区
P
δ
=
tp
T
1毫秒
10毫秒
100毫秒
tp
T
t
1
1
10
100
VDS （ V）
1000
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404
包
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
图4
价值
60
50
单位
K / W
K / W
1.5
K / W
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03nb35
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.1
P
0.05
δ
=
tp
T
0.02
单发
tp
T
t
0.01
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 13 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
从漏极引线6毫米
包芯中心
从接触螺丝
安装基座到的中心
死SOT78
从漏极上缘
安装基座到的中心
死SOT404
L
s
内部源极电感
从源铅源
焊盘
V
DD
= 30 V ;
L
= 2.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5.6
;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
907
127
78
8
39
26
24
4.5
3.5
1210
150
110
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
64
75
187
m
m
0.05
2
10
500
100
A
A
nA
2
1
3
4
4.4
V
V
V
100
89
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
2.5
nH
7.5
nH
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