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BLF188XR ; BLF188XRS
功率LDMOS晶体管
启5 - 2013年11月12日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
广播和工业一个1400瓦极其坚固的LDMOS功率晶体管
应用高频600 MHz频段。
表1中。
应用信息
f
（兆赫）
CW
2至30个
27
41
60
72.5
81.4
88至108
108
200
脉冲射频
81.4
81.4
108
DVB -T
174至230
V
DS
(V)
50
50
50
48
50
50
50
50
50
50
50
50
50
P
L
(W)
1270
1400
1200
1240
1350
1200
1320
1200
1288
1200
1400
1400
225
G
p
（ dB）的
29.0
23.7
22.0
22.0
23.1
27.1
22.5
26.5
19.3
25.8
25.4
24.0
23.8
D
(%)
75
73
82
77
83
77.8
85
83
68.3
85
81
73
29
测试信号
1.2特点和优点
简单的电源控制
集成ESD保护
出色的耐用性
高效率
优良的热稳定性
专为宽带运营（ HF至600兆赫）
符合2002 /95 / EC ，关于有害物质限制
（符合RoHS ）
1.3应用
工业，科学和医疗应用
广播发射机应用
恩智浦半导体
BLF188XR ; BLF188XRS
功率LDMOS晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
钉扎
描述
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
简化的轮廓
图形符号
BLF188XR （ SOT539A ）
BLF188XRS （ SOT539B ）
1
2
3
4
5
drain1
drain2
gate1
gate2
来源
[1]
[1]
连接到FL法兰。
3.订购信息
表3中。
订购信息
名称说明
BLF188XR
BLF188XRS
-
-
无耳法兰平衡的陶瓷封装; 4引线
VERSION
SOT539B
型号封装
法兰平衡的陶瓷封装; 2安装孔; 4导致SOT539A
4.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
T
英镑
T
j
[1]
参数
漏源电压
栅源电压
储存温度
结温
条件
民
-
6
65
[1]
最大
135
+11
+150
225
单位
V
V
C
C
-
在最高温度下连续使用会影响可靠性，对于细节参见上线的MTF
计算器
BLF188XR_BLF188XRS
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产品数据表
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2 15
恩智浦半导体
BLF188XR ; BLF188XRS
功率LDMOS晶体管
5.热特性
表5 。
R
日（J -C ）
Z
日（J -C ）
[1]
[2]
[3]
热特性
条件
T
j
= 150
C
[1][2]
[3]
符号参数
从结热阻到外壳
典型值
0.10
0.03
单位
K / W
K / W
从结点牛逼的瞬态热阻抗
j
= 150
C;
t
p
= 100
s;
到案
= 20 %
T
j
是结点温度。
R
日（J -C ）
射频条件下进行测定。
SEE
图1 。
(1)
= 1 %
(2)
= 2 %
(3)
= 5 %
(4)
= 10 %
(5)
= 20 %
(6)
= 50 %
(7)
= 100％ （DC）的
图1 。
从结瞬态热阻抗，以区分作为脉冲的函数
长短
6.特性
表6 。
DC特性
T
j
= 25
℃;每节除非另有规定ED 。
符号参数
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
V
GSQ
BLF188XR_BLF188XRS
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 5.5毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 550毫安
V
DS
= 50 V ;我
D
= 20毫安
民
135
1.25
0.68
典型值
-
1.9
1.5
最大
-
2.25
1.88
单位
V
V
V
门源阈值电压
栅源电压静态
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恩智浦半导体
BLF188XR ; BLF188XRS
功率LDMOS晶体管
表6 。
DC特性
- 续
T
j
= 25
℃;每节除非另有规定ED 。
符号参数
I
DSS
I
DSX
I
GSS
R
DS （ ON）
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 19.25 A
民
-
-
-
-
典型值
-
77
-
0.08
最大
2.8
-
280
-
单位
A
A
nA
表7中。
AC特性
T
j
= 25
℃;每节除非另有规定ED 。
符号参数
C
rs
C
国际空间站
C
OSS
反馈电容
输入电容
输出电容
条件
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V; V
DS
= 50 V ; F = 1 MHz的
最小典型最大单位
-
-
-
6.2
-
pF
pF
pF
582 -
212 -
表8 。
射频特性
测试信号：脉冲射频;吨
p
= 100
s;
= 10％ ; F = 108 MHz的;射频性能在V
DS
= 50 V;
I
Dq
= 40毫安;牛逼
例
= 25
℃;除非另有规定ED ;在AB类生产测试电路。
符号
G
p
RL
in
D
参数
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
条件
P
L
= 1400 W
P
L
= 1400 W
P
L
= 1400 W
民
23.2
-
69
典型值
24.4
21
73
最大
-
14
-
单位
dB
dB
%
V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫。
图2 。
输出电容为漏极 - 源极电压的函数;每个典型值
部分
BLF188XR_BLF188XRS
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功率LDMOS晶体管
7.测试信息
7.1耐用的AB类操作
该BLF188XR和BLF188XRS能够承受的负荷不匹配
对应于驻波> 65： 1通过下述条件下的所有阶段：
V
DS
= 50 V ;我
Dq
= 40毫安; P
L
= 1400瓦脉冲; F = 108兆赫。
7.2阻抗信息
图3 。
晶体管阻抗德网络nition
表9 。
典型的推挽阻抗
模拟
i
和Z
L
器件的阻抗;在V阻抗信息
DS
= 50 V和P
L
= 1400 W.
f
（兆赫）
108
Z
i
()
2.94
j9.64
Z
L
()
2.74 + j0.57
7.3 UIS雪崩能量
每款表10.典型的雪崩数据
T
AMB
= 25
℃;典型的测试数据;测试夹具没有水冷却。
I
AS
(A)
35
40
45
50
E
AS
(J)
4.5
3.4
2.4
2.0
有关详细信息，请参考“ AN10273 ” 。
BLF188XR_BLF188XRS
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B37550K5102K072
BL-HS133
BD4830FVE-TR
BUK7575-100A
B37979N1330J054
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B41124A6104M000
B43566B4108Q000
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