恩智浦半导体
产品数据表
NPN开关晶体管
BSR13 ; BSR14
符号
h
FE
参数
直流电流增益
条件
I
C
= 0.1毫安; V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= 150毫安; V
CE
= 1V ;注1
分钟。
35
50
75
100
50
30
40
马克斯。
单位
300
400
300
1 .6
1
1 .3
1.2
2 .6
2
8
mV
mV
V
V
V
V
V
V
pF
兆赫
兆赫
直流电流增益
BSR13
BSR14
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
BSR13
BSR14
集电极 - 发射极饱和电压
BSR13
BSR14
V
BESAT
基射极饱和电压
BSR13
BSR14
基射极饱和电压
BSR13
BSR14
C
c
f
T
集电极电容
跃迁频率
BSR13
BSR14
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安
0.6
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 20 V;
F = 100 MHz的
250
300
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
见图2
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
I
CON
= 150毫安;我
BON
= 15毫安;
I
B关
=
15
mA
35
15
20
250
200
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2004年1月13日
4
