13 BSR ， BSR 14
NPN
开关晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BSR 13
30 V
60 V
5V
250毫瓦
1
)
800毫安
800毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BSR 14
40 V
75 V
6V
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 50 V
I
E
= 0, V
CB
= 50 V ，T
j
= 150
/
C
I
E
= 0, V
CB
= 60 V
I
E
= 0, V
CB
= 60 V ，T
j
= 150
/
C
BSR 13
BSR 14
I
CB0
I
CB0
I
CB0
I
CB0
I
EB0
I
EB0
–
–
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
30 nA的
10
:
A
10 nA的
10
:
A
30 nA的
10 nA的
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
BSR 13
BSR 14
1
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
6
开关晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
1
)
V
CE
= 10 V，I
C
- 0.1毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 150毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 150毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 500毫安
BSR 13
BSR 14
BSR 13
BSR 14
BSR 13
BSR 14
BSR 13
BSR 14
BSR 13
BSR 14
BSR 13
BSR 14
BSR 13
BSR 14
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
V
BESAT
V
BESAT
f
T
f
T
C
CB0
t
on
I
CON
= 150毫安
I
BON
= 15毫安
- I
B关
= 15毫安
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
35
50
75
100
50
30
40
–
–
–
–
–
0.6 V
–
–
250兆赫
300兆赫
–
–
–
–
–
–
–
R
THA
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
13 BSR ， BSR 14
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
马克斯。
–
–
–
300
–
–
–
400毫伏
300毫伏
1.6 V
1V
1.3 V
1.2 V
2.6 V
2V
–
–
–
35纳秒
15纳秒
20纳秒
250纳秒
200纳秒
60纳秒
420 K / W
2
)
15 BSR ， BSR 16
BSR 13 = U7
BSR 14 = U8
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。
1
)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 20 V，I
C
= 20毫安，
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
切换时间 - Schaltzeiten
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
标记 - Stempelung
1
2
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
8 pF的
–
–
–
–
–
–
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
7
BSR13
BSR13
NPN通用放大器
从工艺10采购。
C
E
B
SOT-23
马克： U7
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
工作和存储结温范围
参数
评级
30
60
5.0
0.5
-55 ~ 150
单位
V
V
V
A
°C
*此额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150摄氏度的最大结温
2 ）这些都是稳定极限。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CB
= 50V ，我
E
= 0, T
a
= 150°C
V
EB
= 3.0V ，我
C
= 0
I
C
= 0.1毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 150毫安，V
CE
= 1.0V *
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 150毫安，我
B
= 15V
I
C
= 500毫安，我
B
= 50V
I
C
= 150毫安，我
B
= 15V
I
C
= 500毫安，我
B
= 50V
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
250
35
50
75
100
50
30
分钟。
30
60
5.0
30
10
15
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
nA
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
基本特征
300
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压
0.4
1.6
1.3
2.6
V
V
小信号特性
f
T
CURENT增益带宽积
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
2004仙童半导体公司
版本A ， 2004年9月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2004仙童半导体公司
修订版I12
恩智浦半导体
产品数据表
NPN开关晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BSR13
BSR14
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR13
BSR14
V
EBO
发射极 - 基极电压
BSR13
BSR14
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
集电极开路
65
65
开基
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BSR13 ; BSR14
分钟。
马克斯。
60
75
30
40
5
6
800
800
200
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
BSR13
集电极截止电流
BSR14
I
EBO
发射极截止电流
BSR13
BSR14
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
30
10
nA
nA
10
10
nA
A
参数
集电极截止电流
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
E
= 0; V
CB
= 50 V ;牛逼
j
= 150
°C
30
10
nA
A
条件
分钟。
马克斯。
单位
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
单位
K / W
2004年1月13日
3
QQ：2880707522 复制
