恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BCW31
BCW32
BCW33
直流电流增益
BCW31
BCW32
BCW33
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
f
T
F
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
噪声系数
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 2.5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 2.5毫安
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
条件
I
E
= 0; V
CB
= 32 V
参数
从结点到环境的热阻
BCW31 ; BCW32 ; BCW33
条件
注1
价值
500
单位
K / W
分钟。
110
200
420
550
100
典型值。
190
330
600
120
210
750
850
2.5
马克斯。
100
10
100
220
450
800
250
700
10
单位
nA
μA
nA
I
E
= 0; V
CB
= 32 V ;牛逼
j
= 100
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 10
μA;
V
CE
= 5 V
mV
mV
mV
mV
mV
pF
兆赫
dB
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的
I
C
= 200
μA;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
2004年2月06日
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