恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
特点
低电流（ 100 mA时）
低电压（32V ） 。
应用
通用的开关和放大。
描述
NPN晶体管在一个塑料SOT23封装。
PNP补充： BCW29和BCW30 。
记号
类型编号
BCW31
BCW32
BCW33
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚。
* = W ：中国制造。
订购信息
TYPE
数
BCW31
BCW32
BCW33
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
2004年2月06日
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
2
T
AMB
≤
25
°C
条件
发射极开路
开基;我
C
= 2毫安
集电极开路
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
标识代码
(1)
D1*
D2*
D3*
顶视图
手册， halfpage
BCW31 ; BCW32 ;
BCW33
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
1
2
MAM255
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
VERSION
SOT23
分钟。
马克斯。
32
32
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
65
65
恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BCW31
BCW32
BCW33
直流电流增益
BCW31
BCW32
BCW33
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
f
T
F
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
噪声系数
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 2.5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 2.5毫安
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
条件
I
E
= 0; V
CB
= 32 V
参数
从结点到环境的热阻
BCW31 ; BCW32 ; BCW33
条件
注1
价值
500
单位
K / W
分钟。
110
200
420
550
100
典型值。
190
330
600
120
210
750
850
2.5
马克斯。
100
10
100
220
450
800
250
700
10
单位
nA
μA
nA
I
E
= 0; V
CB
= 32 V ;牛逼
j
= 100
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 10
μA;
V
CE
= 5 V
mV
mV
mV
mV
mV
pF
兆赫
dB
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的
I
C
= 200
μA;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
2004年2月06日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
数据表状态
文件
状态
(1)
目标数据表
初步数据表
产品数据表
笔记
产品
状态
(2)
发展
QUALI科幻阳离子
生产
BCW31 ; BCW32 ; BCW33
德网络nition
本文件包含的数据从客观规范的产品
发展。
本文件包含的初步规格数据。
本文件包含的产品规格。
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的文档。
2.本文档中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个文件发布
和可能不同的情况下，多个器件。最新产品状态信息可在互联网上
网址http://www.nxp.com 。
免责声明
一般
本文件中的信息被认为是
准确和可靠。然而，恩智浦半导体
不提供任何陈述或保证，
明示或暗示的内容的准确性或完整性
这样的信息，并有权对任何法律责任
使用这些信息的后果。
有权进行修改
恩智浦半导体
保留随时更改信息的权利
文件中公布的，包括但不限于
规格和产品说明，在任何时间，
恕不另行通知。本文件取代所有
之前，此次公布的信息。
适合使用
恩智浦半导体产品
没有设计，授权或担保适合
在医疗，军事，航空，航天和生活配套使用
设备，或者是在故障或失效
的恩智浦半导体的产品可以合理
预期会导致人身伤害，死亡或严重
属性或环境损害。恩智浦半导体
接受列入恩智浦和/或使用不承担任何责任
半导体产品在此类设备或
应用，因此这样的夹杂物和/或用途是在
客户自己的风险。
应用
在此描述为应用程序
任何这些产品仅用于说明性目的。
恩智浦半导体作任何陈述或
保修这样的应用将是适当的
没有进一步的测试或修改指定用途。
极限值
应力以上的一个或多个限制
值（如在绝对最大额定值定义
IEC 60134 ）的系统可能会造成永久性损坏
该设备。极限值值仅为
该器件在这些或任何其他条件操作
2004年2月06日
5
超过上述的这种特性部分给出
文档是不是暗示。暴露限制值
长时间可能会影响器件的可靠性。
销售条款和条件
恩智浦半导体
产品的销售都遵循的一般条款和
商业销售截至公布的条件下，
http://www.nxp.com/profile/terms ，包括那些
关于保修，知识产权
侵权和赔偿责任限制，除非明确
恩智浦半导体另有书面同意。在
案件信息有任何不一致或冲突
本文与此类条款和条件，后者
将占上风。
没有任何要约出售或许可
本文档中的任何内容
也许能被解释为要约出售产品
这是开放的接受或批，运送或
任何许可下的任何版权，专利暗示或
其它工业或知识产权。
出口管制
本文档以及所述一条（或多条）
这里描述可能会受到出口管制
的规定。出口可能需要从一个事先授权
国家主管部门。
快速参考数据
快速参考的数据是
在限制值赋予了产品数据的提取物和
本文档的特征的部分，并且因此是
不完整的，详尽的或具有法律约束力。
BCW 31 BCW 32 BCW 33
NPN
通用晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BCW 31 BCW 32 BCW 33
32 V
32 V
5V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
分钟。
典型值。
–
–
–
120毫伏
210毫伏
马克斯。
100 nA的
10
:
A
100 nA的
250毫伏
–
特性（T
j
= 25
/
C)
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 32 V
I
E
= 0, V
CB
= 32 V ，T
j
= 100
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
I
EB0
V
CESAT
V
CESAT
–
–
–
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。
2
)
I
CB0
I
CB0
–
–
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
36
01.11.2003
1
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
BCW 31 BCW 32 BCW 33
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
分钟。
典型值。
750毫伏
850毫伏
190
330
600
–
–
–
–
–
2.5 pF的
马克斯。
–
–
–
–
–
220
450
800
700毫伏
–
–
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 2.5毫安
BCW 31
V
CE
= 5 V，I
C
= 10
:
A
BCW 32
BCW 33
BCW 31
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
BCW 32
BCW 33
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A，R
G
= 2 k
S
,
F = 1千赫
)
F = 200赫兹
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
标记 - Stempelung
BCW 31 = D1
F
–
R
THA
–
10分贝
420 K / W
2
)
BCW 29 BCW 30
BCW 32 = D2
BCW 33 = D3
f
T
C
CB0
100兆赫
–
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
V
BEON
550毫伏
V
BESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
–
–
–
–
–
110
200
420
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
1
)
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
37
BCW31 ... BCW33
BCW31 ... BCW33
NPN
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
NPN
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
版本2006-07-28
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
1.9
2
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
2.5最大
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BCW31
BCW32
32 V
32 V
5V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
BCW33
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 A
BCW31
BCW32
BCW33
BCW31
BCW32
BCW33
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
CESAT
–
–
–
110
200
420
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
90
150
270
–
–
–
120毫伏
210毫伏
马克斯。
–
–
–
220
450
800
250毫伏
–
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BCW31 ... BCW33
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
I
C
= 2毫安， V
CE
= 5 V
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
V
CB
= 30 V ， （E打开）
V
CE
= 30 V ，T
j
= 100 ° C， （E打开）
发射基截止电流
V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 200 μA ，R
G
= 2 k
F = 1千赫
Δf
= 200赫兹
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
标记 - Stempelung
F
R
THA
–
–
< 420 K / W
1
)
BCW29 ， BCW30
BCW31 = D1
BCW32 ？ D2
BCW33 ？ D3
10分贝
C
CBO
–
2.5 pF的
6 pF的
f
T
100兆赫
–
–
I
EB0
–
–
100 nA的
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
100 nA的
10 A
V
BE
550毫伏
–
700毫伏
V
BESAT
V
BESAT
–
–
750毫伏
850毫伏
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BCW31 ; BCW32 ; BCW33
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月13
5
BCW32
BCW32
NPN通用放大器
本设备是专为一般用途的应用，在采集器
电流300mA的电流。
从工艺10采购。
3
2
1
SOT-23
马克： D2
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
工作和存储结温范围
价值
32
32
5.0
500
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温
2 ）这些都是国家的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 32V ，我
E
= 0
V
CB
= 32V ，我
E
= 0, T
A
= 100°C
I
C
= 2.0毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 2.0毫安，V
CE
= 5.0V
I
C
= 2.0毫安，V
CE
= 5.0V
F = 35MHz时
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
C
= 0.2毫安，V
CE
= 5.0V
R
S
= 2.0kΩ ， F = 1.0KHz
B
W
= 200Hz的
0.55
200
4.0
10
pF
dB
200
分钟。
32
32
5.0
100
10
450
0.25
0.7
V
V
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基本特征
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
NF
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
小信号特性
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJA
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
参数
马克斯。
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
设备安装在FR- 4PCB 40毫米
×
40mm
×
1.5mm
2002仙童半导体公司
版本A ， 2002年8月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
QQ：2881677436 复制
