BSS138W
N沟道增强
型场效应晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
G
G
H
K
M
A
D
SOT-323
暗淡
B C
S
民
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
8°
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
机械数据
案例： SOT- 323 ，模压塑料
外壳材料 - 防火等级94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
终端连接：见图
标识代码（见第2页） ： K38
订购&日期代码信息：参见第2页
重0.006克数（大约）
0.65标称
J
D
漏
E
L
门
a
来源
尺寸：mm
最大额定值
漏源电压
漏极 - 栅极电压（注1 ）
栅源电压
漏电流（注2 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
连续
连续
V
GSS
I
D
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
BSS138W
50
50
±20
200
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注2 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注3 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注3 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
50
0.5
100
典型值
75
1.2
1.4
最大
0.5
±100
1.5
3.5
50
25
8.0
20
20
单位
V
A
nA
V
W
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A,
R
根
= 50W
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250mA
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.22A
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.2A ， F = 1.0KHz
注： 1。R
GS
20KW.
2.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
3.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
DS30206修订版3 - 2
1 5
www.diodes.com
BSS138W
订购信息
（注4 ）
设备
BSS138W-7
注意事项：
包装
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K38 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
K38
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
0.6
T
j
= 25°C
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
YM
2002
N
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
V
GS
= 3.5V
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
I
D
，漏源电流（A ）
0.5
V
GS
= 3.25V
0.4
V
GS
= 3.0V
0.3
V
GS
= 2.75V
0.2
V
GS
= 2.5V
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1漏源电流和漏源电压
0.8
I
D
，漏源电流（A ）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2传输特性
V
DS
= 1V
-55°C
25°C
150°C
DS30206修订版3 - 2
2 5
www.diodes.com
BSS138W
R
DS （ ON）
归一漏极 - 源极导通电阻（ W）
2.45
2.25
2.05
1.85
1.65
1.45
1.25
1.05
0.85
0.65
-55
-5
45
95
145
V
GS
= 4.5V
I
D
= 0.075A
V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A
T
j
，结温（ ° C）
图。 3漏源导通电阻与结温
2
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-55
-40 -25 -10 5
20 35 50 65 80 95 110 125
140
I
D
= 1.0毫安
T
j
，结温（ ° C）
图。 4栅极阈值电压与结温
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（ W）
8
7
6
5
4
3
-55°C
25°C
V
GS
= 2.5V
150°C
2
1
0
0
0.02
0.04
0.06
0.08 0.1
0.12
0.14
0.16
I
D
，漏电流（ A）
图。 5漏源导通电阻与漏极电流
DS30206修订版3 - 2
3 5
www.diodes.com
BSS138W
QQ：2881677436 复制
