恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC859W ; BC860W
BC859BW ; BC860BW
BC859CW ; BC860CW
V
CESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure ;
BC859W ; BC860W ;
BC859BW ; BC860BW ;
BC859CW ; BC860CW
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
500
毫伏; F = 1 MHz的
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的
I
C
=
200 μA;
V
CE
=
5
V ;
S
= 2 kΩ;
F = 10 Hz至15.7千赫
I
C
=
200 μA;
V
CE
=
5
V ;
S
= 2 kΩ;
F = 1千赫B = 200赫兹
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V;
参见图2和图3
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC859W ; BC860W
价值
625
单位
K / W
分钟。
典型值。
10
马克斯。
15
4
100
800
475
800
300
650
750
820
5
4
4
单位
nA
μA
nA
220
220
420
600
100
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
dB
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
1999年04月12
3
