恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大45 V ） 。
应用
在磁带录像机，高保真音响放大器低噪声级和
其他声频设备。
描述
PNP晶体管在SOT323塑料包装。
NPN补充： BC849W和BC850W 。
记号
TYPE
数
BC859W
BC859BW
BC859CW
记
1.
= - ：香港制造。
= T：在马来西亚。
记号
CODE
4D
4B
4C
TYPE
数
BC860W
BC860BW
BC860CW
记号
CODE
4H
4F
4G
1
顶视图
手册， halfpage
BC859W ; BC860W
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
2
MAM048
Fig.1简化外形（ SOT323 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BC859W
BC860W
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC859W
BC860W
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
1999年04月12
2
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
30
45
5
100
200
200
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
30
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
