BAS381 /三百八十三分之三百八十二
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
反向电流
二极管电容
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值。
最大
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
14
1000
P - 反向功率耗散（MW ）
R
V
R
= 60
V
I
F
- 正向电流（ A）
12
R
thJA
= 540 K / W
10
8
6
4
100
T
j
=150 °C
10
T
j
= 25 °C
P
R
- 100 ％的上限
V
R
R
R
1
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.01
0
15796
0.5
1
1.5
2.0
15794
T
j
- 结温（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
图3.正向电流与正向电压
1000
2.0
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
R
=
V
RRM
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
10
1
0.1
25
15795
0
50
75
100
125
150
15797
0.1
1
10
100
T
j
- 结温（ ° C）
V
R
- 反向
电压
(V)
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
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2
文档编号85503
修订版1.9 ， 07 -MAR -06
