AUIRF2804/S/L
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
SMD
R
DS （ ON）
TO-220
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
40
–––
–––
–––
2.0
130
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
0.031
1.5
1.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
2.0
2.3
4.0
–––
20
250
200
-200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A **
m
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A **
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
s V
DS
= 10V ，我
D
= 75A **
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
nA
V
GS
= -20V
f
f
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
160
41
66
13
120
130
130
4.5
7.5
6450
1690
840
5350
1520
2210
240
62
99
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 75A **
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 75A **
R
G
= 2.5
V
GS
= 10V
铅之间，
f
f
ns
D
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
pF
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
g
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
根据计算得到的最大连续电流
允许结温。套餐限制
电流为195A 。注意所产生的电流限制
从可能发生器件引线的加热
一些领先的安装布置。 （参见
以AN- 1140 ）
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1140.pdf
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。 （见图11）。
从样品失效的人口决定了这个值，
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.24mH ，R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
=10V.
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
–––
–––
56
67
270
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
条件
MOSFET符号
D
A
1080
1.3
84
100
V
ns
nC
展示
整体反转
G
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ** ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 75A ** ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
220A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电
时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
从样品失效人口这个值来决定。 100 ％
进行测试，以在生产此值
这个被施加到D
2
白，装在1"方形PCB时
（FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹，
焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
最大
DS （ ON）
当d
2
白和TO -262 （ SMD ）器件。
的TO-220装置将具有0.45 °C / W的Rth的值。
* *
所有基于旧的包装限制的AC和DC测试条件
电流= 75A 。
f
2
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