汽车级
PD -96290
特点
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先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
HEXFET
功率MOSFET
D
AUIRF2804
AUIRF2804S
AUIRF2804L
40V
最大。 2.0mΩ
k
1.5m
k
270A
c
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值。
G
S
I
D（硅有限公司）
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这个额外的功能
设计是一个175 ° C的结温工作，
开关速度快和改进的重复ava-
拦车的评级。这些特性相结合，使该
设计一种非常有效和可靠的装置，用于
在汽车应用和各种用
其他应用程序。
D
D
I
D（包装有限公司）
195A
D
G
D
S
G
D
S
G
D
S
TO-220AB
AUIRF2804
G
D
2
PAK
AUIRF2804S
D
TO-262
AUIRF2804L
S
绝对最大额定值
门
漏
来源
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;和
该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规格不implied.Exposure
绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
270
190
195
1080
300
2.0
± 20
540
1160
c
单位
A
d
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
d
e
e
d
看到图12a ， 12b中， 15,16
-55 + 175
°C
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
l
参数
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
0.50
–––
62
40
单位
° C / W
结到环境（ PCB安装，稳态）
是国际整流器公司的注册商标。
HEXFET
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
j
www.irf.com
1
02/19/10
