下面的代码示例说明如何用汇编和C函数来读取EEPROM 。在应试
普莱斯假设中断被控制，使得中断不会发生的执行过程中
这些功能。
汇编代码例程
EEPROM_read ：
;等待完成？以前写
SBIC
EECR ， EEWE
RJMP
EEPROM_READ
;设置地址（ R18 ： R1 ）的地址寄存器
OUT
OUT
SBI
in
RET
EEARH ， R18
EEARL ， R17
EECR ， EERE
r16,EEDR
;启动EEPROM通过W读？章602 EERE
;读取数据再？存器的数据
C代码示例
无符号字符型
EEPROM_read （无符号
INT
uiAddress ）
{
/ *等待完成 ？上一次写操作* /
而（ EECR & （ 1<<EEWE ） ）
;
/ *设置地址记数？ R * /
EEAR = uiAddress ;
/*
启动EEPROM意图？通过写EERE * /
EECR | = （ 1<<EERE ） ;
/ *从数据返回的数据？寄存器* /
返回EEDR ;
}
EEPROM写在
掉电休眠
模式
当进入掉电睡眠模式，同时EEPROM写操作是活动的，则
EEPROM写操作将继续，并且将完成前的写访问时间
通过。但是，当写操作完成时，振荡器继续运行，并且如
因此，该装置不进入掉电完全。因此，建议
验证EEPROM写操作进入掉电前完成。
在低V的时期
CC,
在EEPROM中的数据可能被破坏，因为电源电压是
过低，CPU和正确操作的EEPROM中。这些问题都是一样的
用板级系统的EEPROM中，并且在同一设计方案应该被应用。
一个EEPROM数据损坏有两种情况下都导致当电压过低。首先，
一个常规的写序列到EEPROM需要一个最小的电压，以正常工作。节
ondly ， CPU本身能够执行指令的错误，如果电源电压过低。
EEPROM数据损坏的问题可以通过以下方法解决：
在保持电源电压不足期间AVR RESET信号（低） 。这可以
通过启用内部欠压检测器（ BOD）来完成。如果内部的检测电平
董事会并不需要的检测水平，外部低V匹配
CC
复位保护电路
都可以使用。如果发生了复位，而在写操作过程中，写操作将是
完成的条件是电源电压是足够的。
防止EEPROM
腐败
24
ATmega162/V
2513K–AVR–07/09
