注意事项：
步骤5和6之间的中断将导致写操作失败，因为
EEPROM写使能操作将超时。如果中断服务程序访问的EEPROM是
打断了另一个EEPROM操作， EEAR或EEDR寄存器可能被修改，引起
EEPROM操作失败。建议具有全局中断标志位清零
在所有的步骤，以避免这些问题。
当写访问时间之后， EEWE位由硬件清零。用户软
洁具可以查询该位，并等待一个零写入下一个字节之前。当EEWE置位后，
CPU会停止两个时钟周期的下一条指令执行之前。
位0 - EERE ：EEPROM读使能
EEPROM的读使能信号EERE是读选通到EEPROM中。当正确的
地址被设置在寄存器EEAR ，所述EERE位必须设定为逻辑1来触发
EEPROM中读取。 EEPROM读取只需要一条指令，且请求的数据
立即可用。当EEPROM被读取后， CPU停止了前四个周期
执行下一条指令。
用户在读取操作之前，应该检测EEWE 。如果一个写操作时
进步，这是无法读取的EEPROM，也无法改变寄存器EEAR 。
标定的振荡器用于EEPROM定时。
表1
列出了典型的亲
编程时间从CPU访问EEPROM 。
表1中。
EEPROM编程时间
符号
EEPROM写操作（CPU ）
注意：
校准RC数
振荡周期
(1)
8448
典型的编程时间
8.5毫秒
1.采用1 MHz的时钟，不倚赖CKSEL熔丝设置
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ATmega162/V
2513K–AVR–07/09
