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8.8
8.8.1
嵌入式闪存
闪存总览
在AT91SAM7S512的Flash组织在两家银行1024页（双平面）
256个字节。的524288字节被组织在32位字。
在AT91SAM7S256的Flash组织在256个字节1024页（单机） 。该
262,144个字节被组织在32位字。
在AT91SAM7S128的Flash组织在256个字节512页（单机） 。该
131,072个字节被组织在32位字。
在AT91SAM7S64的Flash组织在128个字节512页（单机） 。该
65,536字节被组织在32位字。
在AT91SAM7S321 / 32的Flash组织在128个字节256页（单机） 。
的32,768字节被组织在32位字。
在AT91SAM7S161 / 16的Flash组织中的64个字节256页（单机） 。
的16,384字节被组织在32位字。
在AT91SAM7S512 / 128分之256的闪存包含一个256字节的写缓冲，访问
通过32位接口。
在AT91SAM7S64的闪存/ 321 /32 /十六分之一百六十一包含一个128字节的写缓冲，访问
通过32位接口。
闪存受益于复位单元的整合，并从掉电检测。
这可以防止腐败的代码在电源的变化，即使在最恶劣的条件。
当不使用闪光灯（读或写访问） ，它会自动置于待机模式。
8.8.2
嵌入式Flash控制器
内置Flash控制器（ EFC ）管理由系统的主人进行访问
统。这使得能够读取闪存和写入的写入缓冲器。它还包含了一个用户界面，
在建业的内存控制器中映射。用户界面允许：
的闪存（等待状态，计时，数量等）的接入参数进行编程
启动诸如全片擦除，页擦除，页编程命令， NVM位设置， NVM位
明确等。
获得的最后一个命令的结束状态
获取错误状态
在最后的命令或错误结束编程中断
内置Flash控制器还提供了双32位预取缓冲，优化16位
访问闪存。这是特别有效的，当所述处理器在Thumb模式下运行。
两个EFCS嵌入在SAM7S512控制256千字节的每个银行。双平面
组织允许的并发读取和编程。从一个平面内存读取可能per-
即使在编程或擦除函数在其他存储器平面被执行而形成。
一EFC埋设在SAM7S256 / 128 /64 / 321分之32 / 16分之161来控制单个平面
256/128/64/32/16字节。
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AT91SAM7S系列摘要
6175GS–ATARM–24-Dec-08
