位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第795页 > AT91SAM7S128 > AT91SAM7S128 PDF资料 > AT91SAM7S128 PDF资料4第19页
AT91SAM7S系列摘要
8.4
AT91SAM7S64
64 KB闪存，单平面
- 512页的128字节
- 快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
- 页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
- 没有自动擦除页编程： 3毫秒
- 全片擦除时间： 15毫秒
- 10,000写周期， 10年数据保持能力
- 16位锁定，保护32页16个扇区
- 保护模式，以确保对Flash内容
快速SRAM的16字节
- 全速单周期访问
8.5
AT91SAM7S321/32
32 KB闪存，单平面
- 256页的128个字节
- 快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
- 页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
- 没有自动擦除页编程： 3毫秒
- 全片擦除时间： 15毫秒
- 10,000写周期， 10年数据保持能力
- 8位锁，保护8部门32页
- 保护模式，以确保对Flash内容
8 KB的快速SRAM
- 全速单周期访问
8.6
AT91SAM7S161/16
Flash存储器的16 KB的，单一的平面
- 256页，每页64字节
- 快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
- 页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
- 没有自动擦除页编程： 3毫秒
- 全片擦除时间： 15毫秒
- 10,000写周期， 10年数据保持能力
- 8位锁，保护8部门32页
- 保护模式，以确保对Flash内容
4 KB的快速SRAM
- 全速单周期访问
19
6175GS–ATARM–24-Dec-08
