特点
2.7V至3.6V单电源
急流
串行接口： 66 MHz最大时钟频率
- 兼容SPI模式0和3
用户可配置的页面大小
- 每页256字节
- 每页264字节
- 页面大小可在工厂预先配置为256字节
页编程操作
- 智能编程操作
- 1024页（二百六十四分之二百五十六字节/页）主内存
灵活的擦除选项
- 页擦除（ 256字节）
- 块擦除（ 2字节）
- 擦除扇区（32字节）
- 芯片擦除（ 2兆）
一个SRAM数据缓冲区（ 264分之256字节）
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 7毫安有效的读电流典型
- 25 μA待机电流典型
- 5 μA深度掉电典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
部门锁定的安全代码和数据存储
- 个别部门
安全性： 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
100000编程/擦除周期每页最低
数据保留 - 20岁
工业温度范围
绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项
2-megabit
2.7-volt
最低
数据闪存
AT45DB021D
1.描述
该AT45DB021D是2.7V ，串行接口闪存非常适合宽
各种数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用。该
AT45DB021D支持要求非常高的应用急流串行接口
速度操作。急流串行接口SPI的频率兼容多达66
兆赫。其2162688位存储器组织为1024页，每页256字节或264
每个字节。除了在主存储器中， AT45DB021D还包含一个
的二百六十四分之二百五十六字节的SRAM缓存。 EEPROM仿真（位或字节变性）是很容易
带有自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。不像conven-
了与多个地址线和一个随机访问tional闪存
并行接口时，数据闪存
采用了急流串行接口依次
访问其数据。简单的顺序访问极大地降低了活动的引脚数，
有利于硬件布局，提高了系统的可靠性，最大限度地降低开关噪声，
并降低了封装尺寸。
3638F–DFLASH–4/08
