SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5LC512K8
写周期NO 。 3
1, 2, 3
（我们控制）
t
WC
地址
t
AW
t
CW
t
AH
CE \\
t
AS
WE \\
t
WP2
t
DS
DATA IN
t
HZWE
数据有效
t
LZWE
数据输出
数据中，未定义
高-Z
注意事项：
1.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
.
2.芯片使能和写使能发起和终止一个写周期。
3.输出使能（ OE \\ ）有效（低电平） 。
AS5LC512K8
2.1版08/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
8
7654
6554321098765432321
76
76433100877544211
6543210987654321121
542219986653523
7634
7643310087754452121
6543210987654321121
7634
76543210987654323
65542219986653213
7654
t
DH
654321
654321
654321
654321
987654321876543210987654321
2121876543210987654321
109
987654309876543210987654321
2109
987652109876543210987654321
4109876543210987654321
2321876543210987654321
109
109
987654321876543210987654321
