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APTM100H46FT3G
漏极电流与源极到漏极电压
I
SD
，反向漏电流（ A）
50
40
T
J
=125°C
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
T
J
=25°C
V
SD
，源极到漏极电压（ V）
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.4
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.3
0.7
0.2
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
单脉冲
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583 4748103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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5–5
APTM100H46FT3G - 版本1
Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
2009年8月
