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APTM100H46FT3G
全桥
MOSFET功率模块
V
DSS
= 1000V
R
DSON
= 460mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 19A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
功率MOS 8 快速FREDFETs
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在反向二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
极低的杂散电感
- 对称设计
开尔文源驱动器，方便
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
16
15
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
每条腿可以很容易地并联以实现阶段
电流能力的两倍的腿
符合RoHS
最大额定值
1000
19
14
120
±30
552
357
16
单位
V
2009年8月
1–5
APTM100H46FT3G - 版本1
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如： 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
A
V
mΩ
W
A
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。正确的处理程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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