ADS6149/ADS6129
ADS6148/ADS6128
SLWS211B - 2008年7月 - 修订2008年10月
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电气特性 - ADS614x和ADS612x
典型值是在25℃下， AVDD = 3.3V ， DRVDD = 1.8伏，50 ％的时钟占空比， -1dBFS差分模拟输入，内部
参考模式，除非另有说明。
MIN和MAX值在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C ， AVDD = 3.3 V ， DRVDD = 1.8 V
参数
模拟量输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入性（ DC） ，见
图97
差分输入电容，见
图98
模拟输入带宽
模拟输入共模电流（每输入引脚）
氯乙烯单体的共模输出电压
VCM输出电流能力
DC精度
偏移误差
偏移误差的温度系数
与供应失调误差的变化
E
GREF
E
GCHAN
增益误差仅由于内部参考不准确
单独通道增益误差
温度系数
GCHAN
电源
I
AVDD
模拟电源电流
输出缓冲器的电源电流， LVDS接口， 100
外
终止
输出缓冲器的电源电流， CMOS接口翅= 3兆赫
(1)
,
10 pF的外部负载电容
模拟电源
数字电源LVDS接口
数字电源CMOS接口，散热片= 3兆赫
负载电容
全球掉电
待机
(1)
(2)
(2)
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250 Msps的
民
TYP MAX
2
>1
3.5
700
2
1.5
±4
–15
±2
0.005
0.3
–1.25
±0.2
0.2
.001
170
70
56
561
126
10 pF的外部
101
20
120
50
630
160
1.25
15
ADS6148/ADS6128
210 MSPS
民
典型值
2
>1
3.5
700
2
1.5
±4
–15
±2
0.005
0.3
–1.25
±0.2
0.2
.001
155
65
48
510
118
87
20
120
50
570
153
1.25
15
最大
单位
V
PP
M
pF
兆赫
μA / MSPS
V
mA
mV
毫伏/°C的
mV / V的
％ FS
％ FS
Δ%/°C
mA
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
I
DRVDD
在CMOS模式中， DRVDD当前鳞用的采样频率，在输出引脚的负载电容，输入频率和
电源电压（见
图91
而CMOS的应用程序接口部分的功耗） 。
最大DRVDD电流的CMOS接口依赖于数字输出线的实际负载电容。需要注意的是
每个数字输出线路最大推荐负载电容为10pF 。
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