初步的技术数据
MUXOUT和锁定检测
上ADF4150输出复用器允许用户
访问该芯片上的各种内部点。状态
MUXOUT由M3 ，M2和M1控制（有关详细信息，请参阅
图18）。图13示出在块中的MUXOUT部
图形式。
DV
DD
ADF4150
表5. C3，C2和C1真值表
C3
0
0
0
0
1
1
控制位
C2
0
0
1
1
0
0
C1
0
1
0
1
0
1
注册
寄存器0 （ R0 ）
寄存器1 （ R1 ）
寄存器2（ R2）的
寄存器3 （R 3）
寄存器4（ R4 ）
寄存器5 （ R5 ）
三态，输出
DV
DD
D
GND
v计数器输出
N计数器输出
模拟锁定检测
数字锁定检测
版权所有
07325-008
输出级
MUX
控制
MUX
OUT
D
GND
图13. MUXOUT示意图
输入移位寄存器
该ADF4150数字部分包括一个10位的射频v计数器，
一个16位的射频N计数器，一个12位FRAC计数器，和一个12位的
模计数器。数据移入32位移位寄存器
在CLK的每个上升沿。该数据被移入MSB在前。
数据从移位寄存器传送到六个锁存器1
在LE的上升沿。目的地锁存由下式确定
在移位的三个控制位（ C3，C2和C1）的状态
注册。这些是3个LSB ，DB2， DB1和DB0 ，如图
图2.这些位的真值表如表5所示。
图19示出了如何将锁存器被编程的总结。
射频
OUT
+和RF
OUT
- 在ADF4150系列的引脚
连接到一个NPN差动对的驱动集电极
由VCO的缓冲输出，如图14所示。为了使
用户优化的功耗与输出功率
要求，该尾电流的差分对是
按位D2和D1位寄存器4 （ R4 ）编程。四
电流电平可以被设定。这些级别给出的输出功率水平
-4 dBm时， -1 dBm时， 2 dBm时，和5 dBm时，分别用一
50 Ω电阻连接到VDD和交流耦合到一个50 Ω的负载。
1：可替代地，两个输出可以在1 + 1组合
变压器或180 °微带耦合器（见输出匹配
节）如果输出被单独使用时，最佳
输出级包括一个并联电感连接到VDD的。
该ADF4150家族的另一个特征是，所述供给
到RF输出级的电流可以被关闭，直到部分
如由数字锁定检测检测电路实现锁。
这是通过在静音，直到锁检测（ MTLD ）位使能
寄存器4（ R4 ） 。
RF
OUT
+
RF
OUT
-
计划模式
表5和图11至图21显示了如何将程序
模式是建立在ADF4150 。
许多在ADF4150设置双缓冲。
这些包括的模值，相位值，R计数器值
参考倍增，参考除以2 ，以及当前设置。
这意味着，两个事件有部分采用了之前发生
任何的双缓冲设置新值。首先，新的
值写入到相应的锁存到器件
注册。第二，一个新的写操作必须在寄存器R0中进行。
例如，任何时候的模值被更新时，注册0
（R 0）必须被写入，以确保弹性模量的值是装载
正确。分频器寄存器4 （ R4）选择也是双
缓冲的，但只有当寄存器2的DB13 （R 2）是高的。
MUX
缓冲器/
分频
1/2/4/8/16
07325-010
图14.输出级
牧师PRI |第11页27
