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的ProASIC3 DC和开关特性
温度和电压降额因子
表2-6
温度和电压降额因子的时序延迟
（归一化至T
J
= 70℃ ，V
CC
= 1.425 V)
结温（ ° C）
阵列电压V
CC
(V)
1.425
1.500
1.575
–40°C
0.87
0.83
0.80
0°C
0.92
0.88
0.85
25°C
0.95
0.90
0.87
70°C
1.00
0.95
0.92
85°C
1.02
0.97
0.93
110°C
1.05
0.99
0.96
计算功耗
静态电源电流
表2-7
静态电源电流特性
A3P015 A3P030 A3P060 A3P125 A3P250 A3P400 A3P600 A3P1000
典型值（ 25 ° C）
马克斯。 （商业）
马克斯。 （工业级）
注意事项：
1. I
DD
包括V
CC
, V
泵
, V
CCI
和VMV电流。值不包括I / O静态的贡献，
其示于
表2-11
和
表2-12 2-8页。
2. -F速度等级的器件可能会遇到更高的备用I
DD
高达5倍的标准我
DD
和更高的I / O泄漏。
2毫安
10毫安
15毫安
2毫安
10毫安
15毫安
2毫安
10毫安
15毫安
2毫安
10毫安
15毫安
3毫安
20毫安
30毫安
3毫安
20毫安
30毫安
5毫安
30毫安
45毫安
8毫安
50毫安
75毫安
每个I / O Pin电源
表2-8
I / O输入缓冲器功率（每针）摘要 - 默认的I / O软件设置
适用于高级I / O组
VMV （ V）
单端
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
2.5 V LVCMOS
1.8 V LVCMOS
1.5 V LVCMOS （ JESD8-11 ）
3.3 V PCI
3.3 V PCI -X
迪FF erential
LVDS
LVPECL
注意事项：
1. P
DC2
是静态功耗（如适用）的VMV测量。
2. P
AC9
是衡量V的总动态功耗
CC
和VMV 。
2.5
3.3
2.26
5.72
1.20
1.87
3.3
2.5
1.8
1.5
3.3
3.3
–
–
–
–
–
–
16.69
5.12
2.13
1.45
18.11
18.11
静态功耗
P
DC2
（ mW）的
1
动态功率P
AC9
（ μW / MHz）的
2
2 -6
v1.3
