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恩智浦半导体
74HC594 ; 74HCT594
8位的移位寄存器,输出寄存器
表6 。
静态特性类型74HC594
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
OL
参数
低电平输出电压
条件
V
I
= V
IH
或V
IL
串行数据输出Q7S
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 5.2毫安; V
CC
= 6.0 V
并行数据输出
I
O
= 6.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 7.8毫安; V
CC
= 6.0 V
I
I
I
CC
C
i
V
IH
输入漏电流
电源电流
输入电容
高电平输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
OH
高电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
串行数据输出Q7S
I
O
=
4.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
5.2
毫安; V
CC
= 6.0 V
并行数据输出
I
O
=
6.0
毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
7.8
毫安; V
CC
= 6.0 V
V
OL
低电平输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
串行数据输出Q7S
I
O
= 4.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 5.2毫安; V
CC
= 6.0 V
并行数据输出
I
O
= 6.0毫安; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 7.8毫安; V
CC
= 6.0 V
I
I
I
CC
输入漏电流
电源电流
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 6.0 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
0.33
0.33
±1.0
80
V
V
A
A
-
-
-
-
0.33
0.33
V
V
3.84
5.34
-
-
-
-
V
V
3.84
5.34
-
-
-
-
V
V
V
I
= V
CC
或GND ; V
CC
= 6.0 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 6.0 V
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
0.15
0.16
-
-
3.5
-
-
-
-
-
-
0.26
0.26
±0.1
8.0
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
V
V
A
A
pF
V
V
V
V
V
V
-
-
0.15
0.16
0.26
0.26
V
V
典型值
最大
单位
T
AMB
=
40 °C
+85
°C
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
V
IH
高电平输入电压
1.5
3.15
4.2
-
-
-
-
-
-
V
V
V
74HC_HCT594_3
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牧师03 - 二零零六年十二月二十日
8 26

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