74HC594 ; 74HCT594
8位的移位寄存器，输出寄存器
牧师03 - 二零零六年十二月二十日
产品数据表
1.概述
该74HC594 ; 74HCT594是高速硅栅CMOS器件，其引脚兼容
与低功率肖特基TTL （ LSTTL ） 。
该74HC594 ; 74HCT594是8位的，非反相，串行入，并行出移位寄存器，它
馈送一个8位D型存储寄存器。独立的时钟（ SHCP和STCP ）和直接
设置在两个移位和存储寄存器上位清除（ SHR和STR） 。
串行输出（ Q7S ）用于级联的目的。
两者的移位和存储寄存器的时钟是正边沿触发。如果用户希望
连接两个时钟一起，移位寄存器将总是提前一个计数脉冲
存储寄存器。
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
I
同步串行输入和输出
符合JEDEC标准No.7A
8位并行输出
移位和存储寄存器有独立的直接和明确的时钟
对于移位和存储寄存器独立时钟
100兆赫（典型值）
多种封装选择
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
3.应用
I
串行到并行数据的转换
I
遥控器保持寄存器
恩智浦半导体
74HC594 ; 74HCT594
8位的移位寄存器，输出寄存器
SHCP
DS
STCP
SHR
STR
Q0
Q1
Q6
Q7
Q7S
mbc323
图5.时序图
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC594
74HCT594
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aaf611
16 V
CC
15 Q0
14 DS
13个STR
12 STCP
11 SHCP
10 SHR
9
Q7S
图6.引脚CON组fi guration SO16
74HC_HCT594_3
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
74HC594 ; 74HCT594
8位的移位寄存器，输出寄存器
74HC594
74HCT594
Q1
1
2
3
4
5
6
7
8
001aaf614
16 V
CC
15 Q0
14 DS
13个STR
12 STCP
11 SHCP
10 SHR
9
Q7S
74HC594
74HCT594
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aaf613
Q2
Q3
16 V
CC
15 Q0
14 DS
13个STR
12 STCP
11 SHCP
10 SHR
9
Q7S
GND
Q6
Q7
Q4
Q5
图7.引脚CON组fi guration SSOP16
图8引脚CON组fi guration DIP16
6.2引脚说明
表2中。
符号
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND
Q7S
SHR
SHCP
STCP
STR
DS
Q0
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
描述
并行数据输出1
并行数据输出2
并行数据输出3
并行数据输出4
并行数据输出5
并行数据输出6
并行数据输出7
接地（ 0 V ）
串行数据输出
移位寄存器复位（低电平有效）
移位寄存器时钟输入
存储寄存器时钟输入
存储寄存器复位（低电平有效）
串行数据输入
并行数据输出0
电源电压
74HC_HCT594_3
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
产品数据表
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5 26
集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT594
8位移位寄存器与输出
注册
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1991年12月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位的移位寄存器，输出寄存器
特点
同步串行输入和输出
8位并行输出
按住Shift键和存储寄存器有独立的直接明确
和时钟
100兆赫（典型值）。
输出能力：
- 并行输出：公交车司机
- 串行输出：标准
I
CC
类别： MSI
应用
串行到并行数据的转换
遥控器保持寄存器
描述
74HC/HCT594
该74HC / HCT594是高速硅栅CMOS
设备和引脚与低功率肖特基兼容
TTL （ LSTTL ） 。它们是符合规定的
JEDEC标准没有。 7A 。
该74HC / HCT594包含一个8位的，非反相，
串行入，并行出移位寄存器，用于馈送一个8位
D型存储寄存器。独立的时钟和直接
设置在两个移位和存储首要清漆
寄存器。串行输出（Q
7
'）被提供用于级联
的目的。
两者的移位和存储寄存器的时钟是正沿
触发。如果用户希望连接两个时钟
一起，该移位寄存器将总是一个计数脉冲
该存储寄存器的前方。
快速参考数据
GND = 0 V ：T已
AMB
= 250℃ ;吨
r
= t
f
= 6纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
SH
CP
以Q
7
’
ST
CP
以Q
n
SH
R
以Q
n
ST
R
以Q
n
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
），其中：
f
i
=以MHz输入频率; F
o
=以MHz输出频率;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）=输出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容; V
CC
在五=电源电压
2.对于HC ，条件为V
I
= GND到V
CC
;对于HCT ，条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
订购信息
套餐
扩展型数
引脚
PC74HC/HCT594P
PC74HC/HCT594T
16
16
脚位
DIL
SO
材料
塑料
塑料
CODE
SOT38C ，P
SOT109A
最大时钟频率SH
CP
， ST
CP
输入电容
每个封装的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
13
13
11
11
100
3.5
84
15
15
14
14
100
3.5
89
ns
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
HCT
单位
1991年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位的移位寄存器，输出寄存器
74HC/HCT594
手册， halfpage
14天S
11
SHCP
8级移位寄存器
Q7'
12
ST CP
8位存储寄存器
10 SH
9
13 ST
Q 0 Q1 Q 2 Q 3 Q4 Q 5 Q 6 Q 7
15 1
2
3
4
5
6
7
MBC320
图4的功能框图。
功能表
输入
SH
CP
X
X
X
↑
ST
CP
X
X
↑
X
SH
R
L
X
L
H
ST
R
X
L
H
X
X
X
X
H
D
S
输出
功能
Q
7
’
L
NC
L
Q
6
’
Q
n
NC
L
L
NC
在SH低电平
R
仅影响移位寄存器。
在ST低电平
R
不仅影响了存储寄存器。
空移位寄存器装入存储寄存器。
逻辑高电平移入移位寄存器级都为0。内容
移位寄存器级移位通过，例如舞台前的状态
6 （内部Q
6
' ）出现在串行输出（Q
7
’).
移位寄存器级的内容（内部Q
n
' ）被转移到
存储寄存器和并行输出级。
移位寄存器的内容转移至。以前的内容
移位寄存器传送到存储器寄存器和并行
输出级。
X
↑
↑
↑
H
H
H
H
X
X
NC
Q
6
n
Q
n
’
Q
n
’
记
1. H =高电压电平
L =低电压等级
↑
=低到高的转变
NC =无变化
X =不在乎。
1991年12月
4
74HC594
与8位输出寄存器的8位移位寄存器
描述
该74HC594是一款高速CMOS器件。
一个8位的移位寄存器接受来自上串行输入（ DS）中的数据
在移位寄存器时钟（ SHCP ）的每个正跳变。
当
置为低电平，移位regisister复位功能（ SHR ）将所有转移
寄存器的值为零，并独立于所有时钟。此外，当
低电平时，存储寄存器复位功能（ STR ）将所有移位
寄存器的值为零，并独立于所有时钟。
从输入串行移位寄存器中的数据被放置在输出寄存器
一个上升脉冲对存储器时钟电阻（ STCP ） 。
该
存储电阻器包括一个用于级联输出Q7S
设备之间的信息。作为信息移动到
存储寄存器，它被置于该推挽输出Q0 -Q7 。
所有寄存器捕捉上升沿数据和更改输出的
下降沿。如果两个时钟连在一起，输入移位
寄存器是永远领先于输出寄存器一个时钟周期。
引脚分配
（顶视图）
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
Q0
DS
STR
STCP
SHCP
SHR
Q7S
SO- 16 / TSSOP -16
特点
宽电源电压范围从2.0V至6.0V
汇或来源8毫安在V
CC
= 4.5V
CMOS低功耗
施密特触发器动作在所有输入
输入接受高达6.0V
每JESD 22 ESD保护测试
超过200 -V机型号（ A115 -A ）
超过2000 -V人体模型（ A114 -A ）
超过1000 -V带电器件模型（ C101C ）
应用
通用逻辑
串行到并行数据的转换
捕捉并保持长时间的数据。
从单片机控制，因为允许简单的串行比特流
根据需要许多外围线。
的产品，如各种各样的：
电脑外设
家电
工业控制
闭锁超过每JESD 78 ， II类250毫安
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
注意事项：
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于卤素 - 和无锑， "Green"的Diodes公司的定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com/quality/lead_free.html
和无铅。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
点击这里订购信息，位于数据表的末尾
74AHC594
文件编号： DS35484修订版3 - 2
1 10
www.diodes.com
2013年6月
Diodes公司
74HC594
功能描述和时序图
控制
SHR
L
X
H
H
H
STR
X
L
X
H
H
SHCP
X
X
X
STCP
X
X
L
输入
DS
X
X
H或L
X
H或L
Q7S
L
NC
Q6S
NC
Q6S
产量
Qn
NC
L
NC
Qs
QNS
清除移位寄存器
清除存储注册
加载DS到移位寄存器级0。所有Q
S
移
移位寄存器的内容转移到starge注册所有Q
S
-> Q
N
移位寄存器一个脉冲计数领先的存储寄存器。
功能
H =高电压状态
L =低电压状态
低
到高的转变
X =不在乎 - 高或低（非浮动）
NC =无变化
SHCP
DS
STCP
SHR
STR
Q0
Q1
Q6
Q7
Q7S
绝对最大额定值
（注4 ） （ @T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
ESD HBM
防静电清洁发展机制
ESD MM
V
CC
V
I
V
o
I
IK
I
IK
I
OK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
J
T
英镑
P
合计
注意：
描述
人体模型ESD保护
带电器件模型ESD保护
机器模型ESD保护
电源电压范围
输入电压范围
电压施加到输出在高或低的状态
输入钳位电流
输入钳位电流
输出钳位电流
输出钳位电流
V
I
< -0.5V
六> VCC + 0.5V
V
O
<-0.5V
等级
2
1
200
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.3到V
CC
+0.5
-20
20
-20
20
±25
±35
70
-70
-40到+150
-65到+150
500
单位
KV
KV
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
mW
V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
Q7标准输出
连续输出电流
QN总线驱动器输出
连续电流通过的Vcc
连续电流通过GND
工作结温
储存温度
总功耗
4.强调超过绝对最大可能会导致立即出现故障或降低可靠性。这些都是强调价值观和设备操作应
在推荐值。
74AHC594
文件编号： DS35484修订版3 - 2
3 10
www.diodes.com
2013年6月
Diodes公司
QQ：2881677436 复制
