恩智浦半导体
74AUP2G86
低功耗双2输入异或门
表8 。
动态特性
- 续
电压参考GND（地= 0V） ;测试电路见
图9 。
符号参数
条件
25
°C
民
C
L
= 5 PF， 10 PF， 15 pF和30 pF的
C
PD
功耗
电容
F = 1兆赫; V
I
= GND到V
CC
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
[1]
[2]
[3]
所有典型值是在额定V测
CC
.
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
[3]
40 °C
+125
°C
典型值
[1]
最大
民
最大
(85
°C)
最大
(125
°C)
单位
-
-
-
-
-
-
2.7
2.9
3.0
3.1
3.6
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
pF
pF
pF
12.波形
V
I
呐， NB输入
GND
t
PHL
V
OH
纽约输出
V
OL
V
M
mna224
V
M
t
PLH
在测量点中给出
表9 。
逻辑电平： V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的输出电压电平。
图8 。
表9 。
V
CC
数据输入（ nA的或NB）到输出（ NY ）的传播延迟
测量点
产量
V
M
0.5
×
V
CC
输入
V
M
0.5
×
V
CC
V
I
V
CC
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒
电源电压
0.8 V至3.6 V
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产品数据表
牧师04 - 2009年6月29日
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