恩智浦半导体
74AUP2G86
低功耗双2输入异或门
11.动态特性
表8 。
动态特性
电压参考GND（地= 0V） ;测试电路见
图9 。
符号参数
条件
25
°C
民
C
L
= 5 pF的
t
pd
传播延迟Na或NB到纽约;看
图8
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
C
L
= 10 pF的
t
pd
传播延迟Na或NB到纽约;看
图8
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
C
L
= 15 pF的
t
pd
传播延迟Na或NB到纽约;看
图8
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
C
L
= 30 pF的
t
pd
传播延迟Na或NB到纽约;看
图8
V
CC
= 0.8 V
V
CC
= 1.1 V至1.3 V
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
[2]
[2]
[2]
[2]
40 °C
+125
°C
典型值
[1]
最大
民
最大
(85
°C)
最大
(125
°C)
单位
-
2.3
1.8
1.5
1.2
1.0
21.2
5.9
4.1
3.3
2.6
2.3
-
13.1
7.7
5.9
4.4
4.0
-
2.1
1.6
1.4
1.1
0.9
-
14.3
8.8
6.9
5.3
4.7
-
15.8
9.7
7.6
5.9
5.2
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
2.6
2.2
1.8
1.5
1.3
24.7
6.8
4.8
3.9
3.1
2.9
-
14.8
8.7
6.7
5.2
4.8
-
2.4
1.9
1.7
1.4
1.3
-
16.2
10.0
8.0
6.2
5.6
-
17.9
11.0
8.8
6.9
6.2
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
3.0
2.4
2.1
1.8
1.6
28.2
7.6
5.3
4.4
3.6
3.3
-
16.5
9.6
7.5
5.9
5.4
-
2.7
2.2
1.9
1.6
1.5
-
18.1
11.3
9.0
7.0
6.4
-
20.0
12.5
9.9
7.7
7.1
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
3.9
3.2
2.8
2.4
2.2
38.5
9.9
6.9
5.7
4.7
4.4
-
21.5
12.5
9.8
7.6
7.1
-
3.5
2.8
2.5
2.2
2.1
-
24.1
14.8
11.7
9.1
8.3
-
26.6
16.3
12.9
10.1
9.2
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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牧师04 - 2009年6月29日
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