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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD600 2SD600K
描述
·采用TO- 126封装
·补键入2SB631 / 631K
·高击穿电压V
首席执行官
100/120V
·高电流1A
·低饱和电压
应用
·对于低频功率放大器
应用
钉扎
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
2SD600
2SD600K
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
a
=25
T
C
=25
2SD600
2SD600K
集电极开路
开基
条件
发射极开路
价值
100
120
100
120
5
1
2
1
8
150
-55~150
V
A
A
W
V
单位
V
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
T
j
T
英镑
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