订购数量： 346G
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SB631,631K/2SD600,600K
100V / 120V ， 1A低频
功率放大器的应用
特点
·高击穿电压V
首席执行官
100 / 120V ，高
电流1A 。
·低饱和电压，优良的
FE
线性度。
包装尺寸
单位：mm
2009B
[ 2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K ]
1 ：发射器
2 ：收藏家
（ ） ： 2SB631 ， 631K
3 ：基本
JEDEC ： TO- 126
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
条件
2SB631 ， D600
(–)100
(–)100
2SB631K ， D600K
(–)120
(–)120
(–)5
(–)1
(–)2
1
单位
V
V
V
A
A
W
W
Tc=25C
Tj
TSTG
8
150
-55到+150
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压Brakdown
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V（ BR ） CBO IC = （ - ） 10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0
VCB = （ - ） 50V ， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
条件
B631 ， D600
B631K ， D600K
B631 ， D600
B631K ， D600K
评级
民
(–)100
(–)120
(–)100
(–)120
(–)5
(–)1
(–)1
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
91098HA （ KT ） / 72195MO （ KOTO ） / 4017KI / D144MW ， TS / E107 ， 8-2338 / 9286 No.346-1 / 4
2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K
参数
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
下降时间
打开-O FF时间
贮存时间
符号
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
tf
花花公子
TSTG
条件
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 50毫安
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 500毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 50毫安
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 50毫安
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
评级
民
60*
20
(110)
130
(30)20
(–)0.15
(–)0.85
(80)
100
(100)
500
(600)
700
(–)0.4
(–)1.2
兆赫
兆赫
pF
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
典型值
最大
320*
单位
* ：本2SB631 / 2SD600进行分类50毫安
FE
如下：
60
D
120
100
E
200
160
F
320
开关时间测试电路
No.346–2/4
2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K
No.346–3/4
2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在此描述或包含的任何及所有SANYO产品的事件下的战略本文回落
产品（包括服务）下的外汇及外贸管理法控制
日，这样的产品不能在不脱离部取得出口许可证出口
国际贸易及工业按照上述法律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参阅“交货规格书”
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的9月， 1998年规范和信息都在此
如有更改，恕不另行通知。
PS No.346-4 / 4
订购数量： 346G
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SB631,631K/2SD600,600K
100V / 120V ， 1A低频
功率放大器的应用
特点
·高击穿电压V
首席执行官
100 / 120V ，高
电流1A 。
·低饱和电压，优良的
FE
线性度。
包装尺寸
单位：mm
2009B
[ 2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K ]
1 ：发射器
2 ：收藏家
（ ） ： 2SB631 ， 631K
3 ：基本
JEDEC ： TO- 126
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
条件
2SB631 ， D600
(–)100
(–)100
2SB631K ， D600K
(–)120
(–)120
(–)5
(–)1
(–)2
1
单位
V
V
V
A
A
W
W
Tc=25C
Tj
TSTG
8
150
-55到+150
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压Brakdown
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V（ BR ） CBO IC = （ - ） 10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0
VCB = （ - ） 50V ， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
条件
B631 ， D600
B631K ， D600K
B631 ， D600
B631K ， D600K
评级
民
(–)100
(–)120
(–)100
(–)120
(–)5
(–)1
(–)1
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
91098HA （ KT ） / 72195MO （ KOTO ） / 4017KI / D144MW ， TS / E107 ， 8-2338 / 9286 No.346-1 / 4
2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K
参数
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
下降时间
打开-O FF时间
贮存时间
符号
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
tf
花花公子
TSTG
条件
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 50毫安
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 500毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 50毫安
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 50毫安
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
评级
民
60*
20
(110)
130
(30)20
(–)0.15
(–)0.85
(80)
100
(100)
500
(600)
700
(–)0.4
(–)1.2
兆赫
兆赫
pF
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
典型值
最大
320*
单位
* ：本2SB631 / 2SD600进行分类50毫安
FE
如下：
60
D
120
100
E
200
160
F
320
开关时间测试电路
No.346–2/4
2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K
No.346–3/4
2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在此描述或包含的任何及所有SANYO产品的事件下的战略本文回落
产品（包括服务）下的外汇及外贸管理法控制
日，这样的产品不能在不脱离部取得出口许可证出口
国际贸易及工业按照上述法律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参阅“交货规格书”
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的9月， 1998年规范和信息都在此
如有更改，恕不另行通知。
PS No.346-4 / 4
订购数量： 346G
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SB631,631K/2SD600,600K
100V / 120V ， 1A低频
功率放大器的应用
特点
·高击穿电压V
首席执行官
100 / 120V ，高
电流1A 。
·低饱和电压，优良的
FE
线性度。
包装尺寸
单位：mm
2009B
[ 2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K ]
1 ：发射器
2 ：收藏家
（ ） ： 2SB631 ， 631K
3 ：基本
JEDEC ： TO- 126
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
条件
2SB631 ， D600
(–)100
(–)100
2SB631K ， D600K
(–)120
(–)120
(–)5
(–)1
(–)2
1
单位
V
V
V
A
A
W
W
Tc=25C
Tj
TSTG
8
150
-55到+150
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压Brakdown
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V（ BR ） CBO IC = （ - ） 10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0
VCB = （ - ） 50V ， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
条件
B631 ， D600
B631K ， D600K
B631 ， D600
B631K ， D600K
评级
民
(–)100
(–)120
(–)100
(–)120
(–)5
(–)1
(–)1
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
91098HA （ KT ） / 72195MO （ KOTO ） / 4017KI / D144MW ， TS / E107 ， 8-2338 / 9286 No.346-1 / 4
2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K
参数
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
下降时间
打开-O FF时间
贮存时间
符号
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
tf
花花公子
TSTG
条件
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 50毫安
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 500毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 50毫安
IC = （ - ） 500毫安， IB = （ - ） 50毫安
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
评级
民
60*
20
(110)
130
(30)20
(–)0.15
(–)0.85
(80)
100
(100)
500
(600)
700
(–)0.4
(–)1.2
兆赫
兆赫
pF
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
典型值
最大
320*
单位
* ：本2SB631 / 2SD600进行分类50毫安
FE
如下：
60
D
120
100
E
200
160
F
320
开关时间测试电路
No.346–2/4
2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K
No.346–3/4
2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在此描述或包含的任何及所有SANYO产品的事件下的战略本文回落
产品（包括服务）下的外汇及外贸管理法控制
日，这样的产品不能在不脱离部取得出口许可证出口
国际贸易及工业按照上述法律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参阅“交货规格书”
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的9月， 1998年规范和信息都在此
如有更改，恕不另行通知。
PS No.346-4 / 4
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